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  • Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SIMULAÇÃO, MODELOS ANALÍTICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      GALETI, Milene. Estudo teórico-experimental do transitório da corrente de dreno e do tempo de vida de geração em tecnologias SOI MOSFETs. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14082008-093356/. Acesso em: 30 maio 2024.
    • APA

      Galeti, M. (2008). Estudo teórico-experimental do transitório da corrente de dreno e do tempo de vida de geração em tecnologias SOI MOSFETs (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14082008-093356/
    • NLM

      Galeti M. Estudo teórico-experimental do transitório da corrente de dreno e do tempo de vida de geração em tecnologias SOI MOSFETs [Internet]. 2008 ;[citado 2024 maio 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14082008-093356/
    • Vancouver

      Galeti M. Estudo teórico-experimental do transitório da corrente de dreno e do tempo de vida de geração em tecnologias SOI MOSFETs [Internet]. 2008 ;[citado 2024 maio 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14082008-093356/
  • Unidade: EP

    Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES (CARACTERÍSTICAS)

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    • ABNT

      GALETI, Milene. Análise do funcionamento de dispositivos GC SOI MOSFET em altas temperaturas. 2003. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. . Acesso em: 30 maio 2024.
    • APA

      Galeti, M. (2003). Análise do funcionamento de dispositivos GC SOI MOSFET em altas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Galeti M. Análise do funcionamento de dispositivos GC SOI MOSFET em altas temperaturas. 2003 ;[citado 2024 maio 30 ]
    • Vancouver

      Galeti M. Análise do funcionamento de dispositivos GC SOI MOSFET em altas temperaturas. 2003 ;[citado 2024 maio 30 ]

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