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  • Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

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      SCOLFARO, Luisa Maria Ribeiro. Doadores calcogeneos em silicio. 1985. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1985. . Acesso em: 24 set. 2024.
    • APA

      Scolfaro, L. M. R. (1985). Doadores calcogeneos em silicio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Scolfaro LMR. Doadores calcogeneos em silicio. 1985 ;[citado 2024 set. 24 ]
    • Vancouver

      Scolfaro LMR. Doadores calcogeneos em silicio. 1985 ;[citado 2024 set. 24 ]
  • Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

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      MACHADO, Wanda Valle Marcondes. Método celular variacional para sistemas poliatomicos e sua aplicação em moleculas tetraedricas. 1985. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1985. . Acesso em: 24 set. 2024.
    • APA

      Machado, W. V. M. (1985). Método celular variacional para sistemas poliatomicos e sua aplicação em moleculas tetraedricas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Machado WVM. Método celular variacional para sistemas poliatomicos e sua aplicação em moleculas tetraedricas. 1985 ;[citado 2024 set. 24 ]
    • Vancouver

      Machado WVM. Método celular variacional para sistemas poliatomicos e sua aplicação em moleculas tetraedricas. 1985 ;[citado 2024 set. 24 ]
  • Unidade: IF

    Assunto: ELETRÔNICA

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      MIYAKAWA, Walter. Densidade de estados em ligas amorfas de mo-ru. 1985. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1985. . Acesso em: 24 set. 2024.
    • APA

      Miyakawa, W. (1985). Densidade de estados em ligas amorfas de mo-ru (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Miyakawa W. Densidade de estados em ligas amorfas de mo-ru. 1985 ;[citado 2024 set. 24 ]
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      Miyakawa W. Densidade de estados em ligas amorfas de mo-ru. 1985 ;[citado 2024 set. 24 ]
  • Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA NUCLEAR

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      SEALE, Wayne Allan. Excitação coulombiana dos núcleos 'ANTPOT 187 OS' e 'ANTPOT 189 OS'. 1985. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1985. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/43/tde-08092015-105848/. Acesso em: 24 set. 2024.
    • APA

      Seale, W. A. (1985). Excitação coulombiana dos núcleos 'ANTPOT 187 OS' e 'ANTPOT 189 OS' (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/43/tde-08092015-105848/
    • NLM

      Seale WA. Excitação coulombiana dos núcleos 'ANTPOT 187 OS' e 'ANTPOT 189 OS' [Internet]. 1985 ;[citado 2024 set. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/43/tde-08092015-105848/
    • Vancouver

      Seale WA. Excitação coulombiana dos núcleos 'ANTPOT 187 OS' e 'ANTPOT 189 OS' [Internet]. 1985 ;[citado 2024 set. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/43/tde-08092015-105848/
  • Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

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      GOMES, Vivili Maria Silva. Impurezas de oxigenio em silicio. 1985. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1985. . Acesso em: 24 set. 2024.
    • APA

      Gomes, V. M. S. (1985). Impurezas de oxigenio em silicio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Gomes VMS. Impurezas de oxigenio em silicio. 1985 ;[citado 2024 set. 24 ]
    • Vancouver

      Gomes VMS. Impurezas de oxigenio em silicio. 1985 ;[citado 2024 set. 24 ]
  • Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO

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      ALVES, Horacio Wagner Leite. Niveis profundos associados a vacancia e nitrogenio em diamante. 1985. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1985. . Acesso em: 24 set. 2024.
    • APA

      Alves, H. W. L. (1985). Niveis profundos associados a vacancia e nitrogenio em diamante (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Alves HWL. Niveis profundos associados a vacancia e nitrogenio em diamante. 1985 ;[citado 2024 set. 24 ]
    • Vancouver

      Alves HWL. Niveis profundos associados a vacancia e nitrogenio em diamante. 1985 ;[citado 2024 set. 24 ]
  • Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

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      LINO, Antonio Tadeu. Calculos autoconsistentes em cristais pelo metodo celular variacional. 1985. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1985. . Acesso em: 24 set. 2024.
    • APA

      Lino, A. T. (1985). Calculos autoconsistentes em cristais pelo metodo celular variacional (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Lino AT. Calculos autoconsistentes em cristais pelo metodo celular variacional. 1985 ;[citado 2024 set. 24 ]
    • Vancouver

      Lino AT. Calculos autoconsistentes em cristais pelo metodo celular variacional. 1985 ;[citado 2024 set. 24 ]
  • Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

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      FAZZIO, Adalberto. Excitações e ionizações de metais de transição em semicondutores. 1985. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1985. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/43/tde-23102014-103752/. Acesso em: 24 set. 2024.
    • APA

      Fazzio, A. (1985). Excitações e ionizações de metais de transição em semicondutores (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/43/tde-23102014-103752/
    • NLM

      Fazzio A. Excitações e ionizações de metais de transição em semicondutores [Internet]. 1985 ;[citado 2024 set. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/43/tde-23102014-103752/
    • Vancouver

      Fazzio A. Excitações e ionizações de metais de transição em semicondutores [Internet]. 1985 ;[citado 2024 set. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/43/tde-23102014-103752/
  • Unidade: IF

    Assunto: ELETRÔNICA

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      PETRILLI, Helena Maria. Aplicação do metodo de recorrência para o calculo do gradiente de campo eletrico no nucleo em metais de transição. 1985. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1985. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-05052015-142202/. Acesso em: 24 set. 2024.
    • APA

      Petrilli, H. M. (1985). Aplicação do metodo de recorrência para o calculo do gradiente de campo eletrico no nucleo em metais de transição (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-05052015-142202/
    • NLM

      Petrilli HM. Aplicação do metodo de recorrência para o calculo do gradiente de campo eletrico no nucleo em metais de transição [Internet]. 1985 ;[citado 2024 set. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-05052015-142202/
    • Vancouver

      Petrilli HM. Aplicação do metodo de recorrência para o calculo do gradiente de campo eletrico no nucleo em metais de transição [Internet]. 1985 ;[citado 2024 set. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-05052015-142202/
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    Assunto: FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO

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    • ABNT

      ASSALI, L. V. C. Modelos microscópicos de impurezas em silicio. 1985. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1985. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-24012019-095215/. Acesso em: 24 set. 2024.
    • APA

      Assali, L. V. C. (1985). Modelos microscópicos de impurezas em silicio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-24012019-095215/
    • NLM

      Assali LVC. Modelos microscópicos de impurezas em silicio [Internet]. 1985 ;[citado 2024 set. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-24012019-095215/
    • Vancouver

      Assali LVC. Modelos microscópicos de impurezas em silicio [Internet]. 1985 ;[citado 2024 set. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-24012019-095215/

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