Caracterização elétrica e simulação do transistor SOI MOSFET de porta gêmea (2000)
Hoashi, Paulo Tetsuo; Martino, João Antonio (Orientador) 
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
HOASHI, Paulo Tetsuo. Caracterização elétrica e simulação do transistor SOI MOSFET de porta gêmea. 2000. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2000. . Acesso em: 08 ago. 2024.APA
Hoashi, P. T. (2000). Caracterização elétrica e simulação do transistor SOI MOSFET de porta gêmea (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.NLM
Hoashi PT. Caracterização elétrica e simulação do transistor SOI MOSFET de porta gêmea. 2000 ;[citado 2024 ago. 08 ]Vancouver
Hoashi PT. Caracterização elétrica e simulação do transistor SOI MOSFET de porta gêmea. 2000 ;[citado 2024 ago. 08 ]
