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Artigo de periodico
Investigation of ferroelectricity and piezoelectricity in polar and non-polar polymers (2022)
Giacometti, José Alberto ; Oliveira Junior, Osvaldo Novais de ; Faria, Roberto Mendonça
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IFSC
Subjects: FILMES FINOS, DIELÉTRICOS, TRANSISTORES
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ABNT
GIACOMETTI, José Alberto e OLIVEIRA JUNIOR, Osvaldo Novais de e FARIA, Roberto Mendonça. Investigation of ferroelectricity and piezoelectricity in polar and non-polar polymers. Brazilian Journal of Physics, v. 52, n. 3, p. 73-1-73-12, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s13538-022-01069-9. Acesso em: 28 set. 2024.
APA
Giacometti, J. A., Oliveira Junior, O. N. de, & Faria, R. M. (2022). Investigation of ferroelectricity and piezoelectricity in polar and non-polar polymers. Brazilian Journal of Physics, 52( 3), 73-1-73-12. doi:10.1007/s13538-022-01069-9
NLM
Giacometti JA, Oliveira Junior ON de, Faria RM. Investigation of ferroelectricity and piezoelectricity in polar and non-polar polymers [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2022 ; 52( 3): 73-1-73-12.[citado 2024 set. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s13538-022-01069-9
Vancouver
Giacometti JA, Oliveira Junior ON de, Faria RM. Investigation of ferroelectricity and piezoelectricity in polar and non-polar polymers [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2022 ; 52( 3): 73-1-73-12.[citado 2024 set. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s13538-022-01069-9
Trabalho de evento-resumo
Electric conduction in poly(methyl methacrylate) thin films characterized by corona charging with constant current (2019)
Giacometti, José Alberto; Stefanelo, Josiani Cristina; Faria, Roberto Mendonça
Source: Program. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: FILMES FINOS, DIELÉTRICOS, TRANSISTORES
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ABNT
GIACOMETTI, José Alberto e STEFANELO, Josiani Cristina e FARIA, Roberto Mendonça. Electric conduction in poly(methyl methacrylate) thin films characterized by corona charging with constant current. 2019, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2019. . Acesso em: 28 set. 2024.
APA
Giacometti, J. A., Stefanelo, J. C., & Faria, R. M. (2019). Electric conduction in poly(methyl methacrylate) thin films characterized by corona charging with constant current. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat.
NLM
Giacometti JA, Stefanelo JC, Faria RM. Electric conduction in poly(methyl methacrylate) thin films characterized by corona charging with constant current. Program. 2019 ;[citado 2024 set. 28 ]
Vancouver
Giacometti JA, Stefanelo JC, Faria RM. Electric conduction in poly(methyl methacrylate) thin films characterized by corona charging with constant current. Program. 2019 ;[citado 2024 set. 28 ]
Dissertação (Mestrado)
Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta (2019)
Matos, João Henrique Rocha; Faria, Roberto Mendonça (Orientador)
Unidade: EESC
Subjects: ELETRÔNICA, CIÊNCIA DA COMPUTAÇÃO, TRANSISTORES
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ABNT
MATOS, João Henrique Rocha. Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta. 2019. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2019. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-15012020-095123/. Acesso em: 28 set. 2024.
APA
Matos, J. H. R. (2019). Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-15012020-095123/
NLM
Matos JHR. Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta [Internet]. 2019 ;[citado 2024 set. 28 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-15012020-095123/
Vancouver
Matos JHR. Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta [Internet]. 2019 ;[citado 2024 set. 28 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-15012020-095123/
Trabalho de evento-resumo
Organic field-effect transistors fabricated using an organic layer with high dielectric constant (2019)
Stefanelo, Josiani Cristina; Torres, Bruno Bassi Millan; Giacometti, José Alberto; Faria, Roberto Mendonça
Source: Program. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: POLÍMEROS (MATERIAIS), FILMES FINOS, DIELÉTRICOS, TRANSISTORES
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ABNT
STEFANELO, Josiani Cristina et al. Organic field-effect transistors fabricated using an organic layer with high dielectric constant. 2019, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2019. . Acesso em: 28 set. 2024.
APA
Stefanelo, J. C., Torres, B. B. M., Giacometti, J. A., & Faria, R. M. (2019). Organic field-effect transistors fabricated using an organic layer with high dielectric constant. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat.
NLM
Stefanelo JC, Torres BBM, Giacometti JA, Faria RM. Organic field-effect transistors fabricated using an organic layer with high dielectric constant. Program. 2019 ;[citado 2024 set. 28 ]
Vancouver
Stefanelo JC, Torres BBM, Giacometti JA, Faria RM. Organic field-effect transistors fabricated using an organic layer with high dielectric constant. Program. 2019 ;[citado 2024 set. 28 ]
Trabalho de evento-resumo
Recommendation: existence of GISAXS in the SIRIUS SAXS station (2018)
Mascarenhas, Yvonne Primerano ; Faria, Roberto Mendonça
Source: Abstract Book. Conference titles: RAU Annual Users Meeting LNLS/CNPEM. Unidade: IFSC
Subjects: FILMES FINOS, SENSORES BIOMÉDICOS, TRANSISTORES
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ABNT
MASCARENHAS, Yvonne Primerano e FARIA, Roberto Mendonça. Recommendation: existence of GISAXS in the SIRIUS SAXS station. 2018, Anais.. Campinas: Laboratório Nacional de Luz Síncrotron - LNLS, 2018. Disponível em: http://pages.cnpem.br/rau/wp-content/uploads/sites/8/2018/10/28RAU_AbstractBook.pdf. Acesso em: 28 set. 2024.
APA
Mascarenhas, Y. P., & Faria, R. M. (2018). Recommendation: existence of GISAXS in the SIRIUS SAXS station. In Abstract Book. Campinas: Laboratório Nacional de Luz Síncrotron - LNLS. Recuperado de http://pages.cnpem.br/rau/wp-content/uploads/sites/8/2018/10/28RAU_AbstractBook.pdf
NLM
Mascarenhas YP, Faria RM. Recommendation: existence of GISAXS in the SIRIUS SAXS station [Internet]. Abstract Book. 2018 ;[citado 2024 set. 28 ] Available from: http://pages.cnpem.br/rau/wp-content/uploads/sites/8/2018/10/28RAU_AbstractBook.pdf
Vancouver
Mascarenhas YP, Faria RM. Recommendation: existence of GISAXS in the SIRIUS SAXS station [Internet]. Abstract Book. 2018 ;[citado 2024 set. 28 ] Available from: http://pages.cnpem.br/rau/wp-content/uploads/sites/8/2018/10/28RAU_AbstractBook.pdf
Trabalho de evento
Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates (2018)
Matos, João Henrique Rocha; Stefanelo, Josiani Cristina; Faria, Roberto Mendonça
Source: Livro de resumos. Conference titles: Simpósio em Ciência e Engenharia de Materiais - SICEM. Unidades: IFSC, EESC
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS, POLÍMEROS (MATERIAIS)
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ABNT
MATOS, João Henrique Rocha e STEFANELO, Josiani Cristina e FARIA, Roberto Mendonça. Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates. 2018, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC, 2018. Disponível em: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1223/918. Acesso em: 28 set. 2024.
APA
Matos, J. H. R., Stefanelo, J. C., & Faria, R. M. (2018). Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates. In Livro de resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC. Recuperado de http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1223/918
NLM
Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates [Internet]. Livro de resumos. 2018 ;[citado 2024 set. 28 ] Available from: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1223/918
Vancouver
Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates [Internet]. Livro de resumos. 2018 ;[citado 2024 set. 28 ] Available from: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1223/918
Artigo de periodico
Probing device degradation and electric fields in polymeric field-effect transistors by SFG vibrational spectroscopy (2018)
Motti, Silvia G.; Cardoso, Lilian S.; Gomes, Douglas J. C.; Faria, Roberto Mendonça ; Miranda, Paulo Barbeitas
Source: Journal of Physical Chemistry C. Unidade: IFSC
Subjects: FILMES FINOS, TRANSISTORES, DIELÉTRICOS
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ABNT
MOTTI, Silvia G. et al. Probing device degradation and electric fields in polymeric field-effect transistors by SFG vibrational spectroscopy. Journal of Physical Chemistry C, v. 122, n. 19, p. 10450-10458, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.8b01760. Acesso em: 28 set. 2024.
APA
Motti, S. G., Cardoso, L. S., Gomes, D. J. C., Faria, R. M., & Miranda, P. B. (2018). Probing device degradation and electric fields in polymeric field-effect transistors by SFG vibrational spectroscopy. Journal of Physical Chemistry C, 122( 19), 10450-10458. doi:10.1021/acs.jpcc.8b01760
NLM
Motti SG, Cardoso LS, Gomes DJC, Faria RM, Miranda PB. Probing device degradation and electric fields in polymeric field-effect transistors by SFG vibrational spectroscopy [Internet]. Journal of Physical Chemistry C. 2018 ; 122( 19): 10450-10458.[citado 2024 set. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.8b01760
Vancouver
Motti SG, Cardoso LS, Gomes DJC, Faria RM, Miranda PB. Probing device degradation and electric fields in polymeric field-effect transistors by SFG vibrational spectroscopy [Internet]. Journal of Physical Chemistry C. 2018 ; 122( 19): 10450-10458.[citado 2024 set. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.8b01760
Trabalho de evento
Production of p-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates (2017)
Matos, J. H. R.; Stefanelo, J. C.; Faria, Roberto Mendonça
Source: Anais eletrônicos. Conference titles: Simpósio em Ciência e Engenharia de Materiais - SICEM. Unidade: IFSC
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MATOS, J. H. R. e STEFANELO, J. C. e FARIA, Roberto Mendonça. Production of p-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates. 2017, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC, 2017. Disponível em: http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/872/469. Acesso em: 28 set. 2024.
APA
Matos, J. H. R., Stefanelo, J. C., & Faria, R. M. (2017). Production of p-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates. In Anais eletrônicos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC. Recuperado de http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/872/469
NLM
Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Production of p-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates [Internet]. Anais eletrônicos. 2017 ;[citado 2024 set. 28 ] Available from: http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/872/469
Vancouver
Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Production of p-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates [Internet]. Anais eletrônicos. 2017 ;[citado 2024 set. 28 ] Available from: http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/872/469
Trabalho de evento-resumo
Using the inkjet printing technique to improve the performance of p-channel organic field-effect transistors (2017)
Matos, João Henrique Rocha; Stefanelo, Josiani Cristina; Faria, Roberto Mendonça
Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MATOS, João Henrique Rocha e STEFANELO, Josiani Cristina e FARIA, Roberto Mendonça. Using the inkjet printing technique to improve the performance of p-channel organic field-effect transistors. 2017, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2017. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BQDE. Acesso em: 28 set. 2024.
APA
Matos, J. H. R., Stefanelo, J. C., & Faria, R. M. (2017). Using the inkjet printing technique to improve the performance of p-channel organic field-effect transistors. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BQDE
NLM
Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Using the inkjet printing technique to improve the performance of p-channel organic field-effect transistors [Internet]. Program Book. 2017 ;[citado 2024 set. 28 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BQDE
Vancouver
Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Using the inkjet printing technique to improve the performance of p-channel organic field-effect transistors [Internet]. Program Book. 2017 ;[citado 2024 set. 28 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BQDE
Tese (Doutorado)
Aplicação de transistores orgânicos na fabricação de inversores lógicos digitais (2016)
Cardoso, Lilian Soares; Faria, Roberto Mendonça (Orientador)
Unidade: EESC
Assunto: TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CARDOSO, Lilian Soares. Aplicação de transistores orgânicos na fabricação de inversores lógicos digitais. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-21032017-153241/. Acesso em: 28 set. 2024.
APA
Cardoso, L. S. (2016). Aplicação de transistores orgânicos na fabricação de inversores lógicos digitais (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-21032017-153241/
NLM
Cardoso LS. Aplicação de transistores orgânicos na fabricação de inversores lógicos digitais [Internet]. 2016 ;[citado 2024 set. 28 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-21032017-153241/
Vancouver
Cardoso LS. Aplicação de transistores orgânicos na fabricação de inversores lógicos digitais [Internet]. 2016 ;[citado 2024 set. 28 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-21032017-153241/
Artigo de periodico
Induced characteristics of n- and p-channel OFETs by the choice of solvent for the dielectric layer towards the fabrication of an organic complementary circuit (2016)
Cardoso, Lilian Soares; Stefanelo, Josiani Cristina; Faria, Roberto Mendonça
Source: Synthetic Metals. Unidade: IFSC
Subjects: TRANSISTORES, SOLVENTE, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CARDOSO, Lilian Soares e STEFANELO, Josiani Cristina e FARIA, Roberto Mendonça. Induced characteristics of n- and p-channel OFETs by the choice of solvent for the dielectric layer towards the fabrication of an organic complementary circuit. Synthetic Metals, v. 220, p. 286-291, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.synthmet.2016.06.023. Acesso em: 28 set. 2024.
APA
Cardoso, L. S., Stefanelo, J. C., & Faria, R. M. (2016). Induced characteristics of n- and p-channel OFETs by the choice of solvent for the dielectric layer towards the fabrication of an organic complementary circuit. Synthetic Metals, 220, 286-291. doi:10.1016/j.synthmet.2016.06.023
NLM
Cardoso LS, Stefanelo JC, Faria RM. Induced characteristics of n- and p-channel OFETs by the choice of solvent for the dielectric layer towards the fabrication of an organic complementary circuit [Internet]. Synthetic Metals. 2016 ; 220 286-291.[citado 2024 set. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.synthmet.2016.06.023
Vancouver
Cardoso LS, Stefanelo JC, Faria RM. Induced characteristics of n- and p-channel OFETs by the choice of solvent for the dielectric layer towards the fabrication of an organic complementary circuit [Internet]. Synthetic Metals. 2016 ; 220 286-291.[citado 2024 set. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.synthmet.2016.06.023
Trabalho de evento-resumo
N-channel organic field-effect transistors fabricated by the inkjet printing technique (2016)
Stefanelo, Josiani Cristina; Cardoso, Lilian Soares; Faria, Roberto Mendonça
Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: FILMES FINOS, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
STEFANELO, Josiani Cristina e CARDOSO, Lilian Soares e FARIA, Roberto Mendonça. N-channel organic field-effect transistors fabricated by the inkjet printing technique. 2016, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2016. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6GB. Acesso em: 28 set. 2024.
APA
Stefanelo, J. C., Cardoso, L. S., & Faria, R. M. (2016). N-channel organic field-effect transistors fabricated by the inkjet printing technique. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6GB
NLM
Stefanelo JC, Cardoso LS, Faria RM. N-channel organic field-effect transistors fabricated by the inkjet printing technique [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 set. 28 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6GB
Vancouver
Stefanelo JC, Cardoso LS, Faria RM. N-channel organic field-effect transistors fabricated by the inkjet printing technique [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 set. 28 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6GB
Trabalho de evento-resumo
Analysis of different deposition patterns for semiconductor at organic field-effect transistors using inkjet printing technique (2015)
Stefanelo, Josiani Cristina; Cardoso, Lilian Soares; Faria, Roberto Mendonça
Source: Technical Summaries. Conference titles: Optics and Photonics. Unidade: IFSC
Subjects: TRANSISTORES, FILMES FINOS, POLÍMEROS (MATERIAIS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
STEFANELO, Josiani Cristina e CARDOSO, Lilian Soares e FARIA, Roberto Mendonça. Analysis of different deposition patterns for semiconductor at organic field-effect transistors using inkjet printing technique. 2015, Anais.. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE, 2015. Disponível em: http://spie.org/Documents/ConferencesExhibitions/OP15-abstracts.pdf. Acesso em: 28 set. 2024.
APA
Stefanelo, J. C., Cardoso, L. S., & Faria, R. M. (2015). Analysis of different deposition patterns for semiconductor at organic field-effect transistors using inkjet printing technique. In Technical Summaries. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. Recuperado de http://spie.org/Documents/ConferencesExhibitions/OP15-abstracts.pdf
NLM
Stefanelo JC, Cardoso LS, Faria RM. Analysis of different deposition patterns for semiconductor at organic field-effect transistors using inkjet printing technique [Internet]. Technical Summaries. 2015 ;[citado 2024 set. 28 ] Available from: http://spie.org/Documents/ConferencesExhibitions/OP15-abstracts.pdf
Vancouver
Stefanelo JC, Cardoso LS, Faria RM. Analysis of different deposition patterns for semiconductor at organic field-effect transistors using inkjet printing technique [Internet]. Technical Summaries. 2015 ;[citado 2024 set. 28 ] Available from: http://spie.org/Documents/ConferencesExhibitions/OP15-abstracts.pdf
Trabalho de evento-resumo
Effects of gate dielectric solvents on the performance of p-channel polymer field effect transistors (2014)
Cardoso, Lilian Soares; Faria, Roberto Mendonça ; Stefanelo, Josiani Cristina
Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CARDOSO, Lilian Soares e FARIA, Roberto Mendonça e STEFANELO, Josiani Cristina. Effects of gate dielectric solvents on the performance of p-channel polymer field effect transistors. 2014, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2014. . Acesso em: 28 set. 2024.
APA
Cardoso, L. S., Faria, R. M., & Stefanelo, J. C. (2014). Effects of gate dielectric solvents on the performance of p-channel polymer field effect transistors. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat.
NLM
Cardoso LS, Faria RM, Stefanelo JC. Effects of gate dielectric solvents on the performance of p-channel polymer field effect transistors. Program Book. 2014 ;[citado 2024 set. 28 ]
Vancouver
Cardoso LS, Faria RM, Stefanelo JC. Effects of gate dielectric solvents on the performance of p-channel polymer field effect transistors. Program Book. 2014 ;[citado 2024 set. 28 ]
Trabalho de evento-resumo
P3HT field effect transistors studied by SFG spectroscopy (2014)
Motti, Silvia Genaro; Miranda, Paulo Barbeitas ; Alexandre de Castro Maciel; Faria, Roberto Mendonça
Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: TRANSISTORES, ESPECTROSCOPIA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTTI, Silvia Genaro et al. P3HT field effect transistors studied by SFG spectroscopy. 2014, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2014. . Acesso em: 28 set. 2024.
APA
Motti, S. G., Miranda, P. B., Alexandre de Castro Maciel,, & Faria, R. M. (2014). P3HT field effect transistors studied by SFG spectroscopy. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat.
NLM
Motti SG, Miranda PB, Alexandre de Castro Maciel, Faria RM. P3HT field effect transistors studied by SFG spectroscopy. Program Book. 2014 ;[citado 2024 set. 28 ]
Vancouver
Motti SG, Miranda PB, Alexandre de Castro Maciel, Faria RM. P3HT field effect transistors studied by SFG spectroscopy. Program Book. 2014 ;[citado 2024 set. 28 ]
Trabalho de evento-resumo
Theoretical and experimental study of bottom-gate OFETs using P3HT and PMMA (2014)
Faria, Roberto Mendonça ; Maciel, Alexandre Castro
Source: Program. Conference titles: Materials Reseach Society Spring Meeting and Exhibit. Unidade: IFSC
Subjects: DIELÉTRICOS, FILMES FINOS, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FARIA, Roberto Mendonça e MACIEL, Alexandre Castro. Theoretical and experimental study of bottom-gate OFETs using P3HT and PMMA. 2014, Anais.. Warrendale: Materials Research Society - MRS, 2014. Disponível em: http://www.mrs.org/spring-2014-program-ff. Acesso em: 28 set. 2024.
APA
Faria, R. M., & Maciel, A. C. (2014). Theoretical and experimental study of bottom-gate OFETs using P3HT and PMMA. In Program. Warrendale: Materials Research Society - MRS. Recuperado de http://www.mrs.org/spring-2014-program-ff
NLM
Faria RM, Maciel AC. Theoretical and experimental study of bottom-gate OFETs using P3HT and PMMA [Internet]. Program. 2014 ;[citado 2024 set. 28 ] Available from: http://www.mrs.org/spring-2014-program-ff
Vancouver
Faria RM, Maciel AC. Theoretical and experimental study of bottom-gate OFETs using P3HT and PMMA [Internet]. Program. 2014 ;[citado 2024 set. 28 ] Available from: http://www.mrs.org/spring-2014-program-ff
Trabalho de evento-resumo
Charge transport mechanism in P3HT:PCBM blend based on a random resistor network (2014)
Nagashima, Haroldo Naoyuki; Cardoso, Lilian Soares; Faria, Roberto Mendonça
Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NAGASHIMA, Haroldo Naoyuki e CARDOSO, Lilian Soares e FARIA, Roberto Mendonça. Charge transport mechanism in P3HT:PCBM blend based on a random resistor network. 2014, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2014. . Acesso em: 28 set. 2024.
APA
Nagashima, H. N., Cardoso, L. S., & Faria, R. M. (2014). Charge transport mechanism in P3HT:PCBM blend based on a random resistor network. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat.
NLM
Nagashima HN, Cardoso LS, Faria RM. Charge transport mechanism in P3HT:PCBM blend based on a random resistor network. Program Book. 2014 ;[citado 2024 set. 28 ]
Vancouver
Nagashima HN, Cardoso LS, Faria RM. Charge transport mechanism in P3HT:PCBM blend based on a random resistor network. Program Book. 2014 ;[citado 2024 set. 28 ]
Trabalho de evento-resumo
P-channel-polymer FETs using PMMA as dielectric layer performance analysis (2014)
Cardoso, L. S.; Stefanelo, J. C.; Faria, Roberto Mendonça
Source: Poster Presentation Abstracts. Conference titles: Workshop of the National Institute for Organic Electronics. Unidade: IFSC
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
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ABNT
CARDOSO, L. S. e STEFANELO, J. C. e FARIA, Roberto Mendonça. P-channel-polymer FETs using PMMA as dielectric layer performance analysis. 2014, Anais.. São Carlos: Instituto Nacional de Eletrônica Orgânica - INEO, 2014. . Acesso em: 28 set. 2024.
APA
Cardoso, L. S., Stefanelo, J. C., & Faria, R. M. (2014). P-channel-polymer FETs using PMMA as dielectric layer performance analysis. In Poster Presentation Abstracts. São Carlos: Instituto Nacional de Eletrônica Orgânica - INEO.
NLM
Cardoso LS, Stefanelo JC, Faria RM. P-channel-polymer FETs using PMMA as dielectric layer performance analysis. Poster Presentation Abstracts. 2014 ;[citado 2024 set. 28 ]
Vancouver
Cardoso LS, Stefanelo JC, Faria RM. P-channel-polymer FETs using PMMA as dielectric layer performance analysis. Poster Presentation Abstracts. 2014 ;[citado 2024 set. 28 ]
Tese (Doutorado)
Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta (2014)
Stefanelo, Josiani Cristina; Faria, Roberto Mendonça (Orientador)
Unidade: EESC
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, IMPRESSÃO, POLÍMEROS (MATERIAIS)
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ABNT
STEFANELO, Josiani Cristina. Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta. 2014. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-03092014-094314/. Acesso em: 28 set. 2024.
APA
Stefanelo, J. C. (2014). Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-03092014-094314/
NLM
Stefanelo JC. Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta [Internet]. 2014 ;[citado 2024 set. 28 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-03092014-094314/
Vancouver
Stefanelo JC. Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta [Internet]. 2014 ;[citado 2024 set. 28 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-03092014-094314/
Trabalho de evento-resumo
Application of the inkjet printing technique to fabricate n-channel organic field-effect transistors (2014)
Stefanelo, J. C.; Cardoso, L. S.; Faria, Roberto Mendonça
Source: Poster Presentation Abstracts. Conference titles: Workshop of the National Institute for Organic Electronics. Unidade: IFSC
Subjects: TRANSISTORES, FILMES FINOS, POLÍMEROS (MATERIAIS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
STEFANELO, J. C. e CARDOSO, L. S. e FARIA, Roberto Mendonça. Application of the inkjet printing technique to fabricate n-channel organic field-effect transistors. 2014, Anais.. São Carlos: Instituto Nacional de Eletrônica Orgânica - INEO, 2014. . Acesso em: 28 set. 2024.
APA
Stefanelo, J. C., Cardoso, L. S., & Faria, R. M. (2014). Application of the inkjet printing technique to fabricate n-channel organic field-effect transistors. In Poster Presentation Abstracts. São Carlos: Instituto Nacional de Eletrônica Orgânica - INEO.
NLM
Stefanelo JC, Cardoso LS, Faria RM. Application of the inkjet printing technique to fabricate n-channel organic field-effect transistors. Poster Presentation Abstracts. 2014 ;[citado 2024 set. 28 ]
Vancouver
Stefanelo JC, Cardoso LS, Faria RM. Application of the inkjet printing technique to fabricate n-channel organic field-effect transistors. Poster Presentation Abstracts. 2014 ;[citado 2024 set. 28 ]

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