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Dissertação (Mestrado)
Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs (2024)
Silva, Wenita de Lima; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS ANALÓGICOS
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ABNT
SILVA, Wenita de Lima. Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs. 2024. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28052024-091329/pt-br.php. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Silva, W. de L. (2024). Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28052024-091329/pt-br.php
NLM
Silva W de L. Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs [Internet]. 2024 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28052024-091329/pt-br.php
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Silva W de L. Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs [Internet]. 2024 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28052024-091329/pt-br.php
Dissertação (Mestrado)
Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (2023)
Carvalho, Henrique Lanfredi; Martino, João Antonio (Orientador) ; Rangel, Ricardo Cardoso (coorient)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, ALUMÍNIO
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ABNT
CARVALHO, Henrique Lanfredi. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte. 2023. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Carvalho, H. L. (2023). Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
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Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
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Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
Tese (Doutorado)
Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor (2023)
Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Assunto: TRANSISTORES
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ABNT
MORI, Carlos Augusto Bergfeld. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Mori, C. A. B. (2023). Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
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Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
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Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
Dissertação (Mestrado)
Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício (2022)
Sousa, Julia Cristina Soares; Der Agopian, Paula Ghedini (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, AMPLIFICADORES
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ABNT
SOUSA, Julia Cristina Soares. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Sousa, J. C. S. (2022). Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
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Sousa JCS. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
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Sousa JCS. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
Dissertação (Mestrado)
Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor (2022)
Duarte, Pedro Henrique; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: SENSORES BIOMÉDICOS, PERÓXIDO DE HIDROGÊNIO
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ABNT
DUARTE, Pedro Henrique. Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-102152/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Duarte, P. H. (2022). Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-102152/
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Duarte PH. Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-102152/
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Duarte PH. Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-102152/
Tese (Doutorado)
Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores (2022)
Yojo, Leonardo Shimizu; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, SENSORES BIOMÉDICOS, GLICOSE
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ABNT
YOJO, Leonardo Shimizu. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Yojo, L. S. (2022). Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/
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Yojo LS. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/
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Yojo LS. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (2022)
Zangaro, Henrique Araújo; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
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ABNT
ZANGARO, Henrique Araújo. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Zangaro, H. A. (2022). Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
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Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
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Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
Tese (Doutorado)
Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (2022)
Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RANGEL, Ricardo Cardoso. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Rangel, R. C. (2022). Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
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Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
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Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (2022)
Leal, João Vitor da Costa; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, BAIXA TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEAL, João Vitor da Costa. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Leal, J. V. da C. (2022). Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
NLM
Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
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Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
Tese (Doutorado)
Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores (2021)
Macambira, Christian Nemeth; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (coorient)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MACAMBIRA, Christian Nemeth. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores. 2021. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Macambira, C. N. (2021). Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
NLM
Macambira CN. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores [Internet]. 2021 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
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Macambira CN. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores [Internet]. 2021 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
Dissertação (Mestrado)
Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs. (2020)
Gonçalez Filho, Walter; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, AMPLIFICADORES
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ABNT
GONÇALEZ FILHO, Walter. Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs. 2020. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21092020-144559/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Gonçalez Filho, W. (2020). Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21092020-144559/
NLM
Gonçalez Filho W. Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21092020-144559/
Vancouver
Gonçalez Filho W. Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21092020-144559/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (2020)
Gonçalves, Guilherme Vieira; Martino, João Antonio (Orientador) ; Oliveira, Alberto Vinicius de (coorient)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GONÇALVES, Guilherme Vieira. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. 2020. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Gonçalves, G. V. (2020). Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/
NLM
Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/
Vancouver
Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios. (2020)
Nogueira, Alexandro de Moraes; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS ANALÓGICOS, AMPLIFICADORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOGUEIRA, Alexandro de Moraes. Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios. 2020. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032021-105015/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Nogueira, A. de M. (2020). Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032021-105015/
NLM
Nogueira A de M. Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032021-105015/
Vancouver
Nogueira A de M. Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032021-105015/
Dissertação (Mestrado)
Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. (2019)
Peixoto, José Augusto Padovese; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, SENSORES ÓPTICOS, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEIXOTO, José Augusto Padovese. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. 2019. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2019. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Peixoto, J. A. P. (2019). Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/
NLM
Peixoto JAP. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. [Internet]. 2019 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/
Vancouver
Peixoto JAP. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. [Internet]. 2019 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/
Dissertação (Mestrado)
Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB (2018)
Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORI, Carlos Augusto Bergfeld. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Mori, C. A. B. (2018). Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/
NLM
Mori CAB. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB [Internet]. 2018 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/
Vancouver
Mori CAB. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB [Internet]. 2018 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/
Tese (Doutorado)
Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) (2018)
Itocazu, Vitor Tatsuo ; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, SILÍCIO
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ABNT
ITOCAZU, Vitor Tatsuo. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW). 2018. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Itocazu, V. T. (2018). Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/
NLM
Itocazu VT. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) [Internet]. 2018 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/
Vancouver
Itocazu VT. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) [Internet]. 2018 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/
Dissertação (Mestrado)
Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET (2018)
Yojo, Leonardo Shimizu; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
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ABNT
YOJO, Leonardo Shimizu. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Yojo, L. S. (2018). Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/
NLM
Yojo LS. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET [Internet]. 2018 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/
Vancouver
Yojo LS. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET [Internet]. 2018 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/
Tese (Doutorado)
Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas (2017)
Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, TEMPERATURA, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
BORDALLO, Caio Cesar Mendes. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Bordallo, C. C. M. (2017). Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/
NLM
Bordallo CCM. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/
Vancouver
Bordallo CCM. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/
Dissertação (Mestrado)
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs (2017)
Macambira, Christian Nemeth; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, SILÍCIO, TEMPERATURA
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ABNT
MACAMBIRA, Christian Nemeth. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Macambira, C. N. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/
NLM
Macambira CN. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/
Vancouver
Macambira CN. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/
Dissertação (Mestrado)
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (2017)
Nascimento, Vinicius Mesquita do; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, SILÍCIO
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ABNT
NASCIMENTO, Vinicius Mesquita do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Nascimento, V. M. do. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/
NLM
Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/
Vancouver
Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/

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