Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES (CARACTERÍSTICAS)
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ABNT
ALMEIDA, Galba Falce de. Estudo do comportamento da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores GC SOI nMOSFET. 2004. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. . Acesso em: 21 ago. 2024.APA
Almeida, G. F. de. (2004). Estudo do comportamento da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores GC SOI nMOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.NLM
Almeida GF de. Estudo do comportamento da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores GC SOI nMOSFET. 2004 ;[citado 2024 ago. 21 ]Vancouver
Almeida GF de. Estudo do comportamento da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores GC SOI nMOSFET. 2004 ;[citado 2024 ago. 21 ]