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  • Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

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    • ABNT

      ORELLANA, Walter M e FERRAZ, A. C. First principles calculation of substitutional oxygen and oxygen-hydrogen complex in gallium arsenide. Brazilian Journal of Physics, v. 27A, n. 4, p. 93-96, 1997Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2024.
    • APA

      Orellana, W. M., & Ferraz, A. C. (1997). First principles calculation of substitutional oxygen and oxygen-hydrogen complex in gallium arsenide. Brazilian Journal of Physics, 27A( 4), 93-96.
    • NLM

      Orellana WM, Ferraz AC. First principles calculation of substitutional oxygen and oxygen-hydrogen complex in gallium arsenide. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 93-96.[citado 2024 nov. 01 ]
    • Vancouver

      Orellana WM, Ferraz AC. First principles calculation of substitutional oxygen and oxygen-hydrogen complex in gallium arsenide. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 93-96.[citado 2024 nov. 01 ]
  • Source: Surface Science. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science, v. 377-379, p. 121-124, 1997Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2024.
    • APA

      Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (1997). Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science, 377-379, 121-124.
    • NLM

      Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science. 1997 ; 377-379 121-124.[citado 2024 nov. 01 ]
    • Vancouver

      Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science. 1997 ; 377-379 121-124.[citado 2024 nov. 01 ]
  • Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ENERGETICA

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    • ABNT

      SILVA, Robeto Claudino da e FERRAZ, A. C. Structure and energetic of GaAs:Te and InAs:Te Surfaces. Brazilian Journal of Physics, v. 27/A, n. 4, p. 234-236, 1997Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2024.
    • APA

      Silva, R. C. da, & Ferraz, A. C. (1997). Structure and energetic of GaAs:Te and InAs:Te Surfaces. Brazilian Journal of Physics, 27/A( 4), 234-236.
    • NLM

      Silva RC da, Ferraz AC. Structure and energetic of GaAs:Te and InAs:Te Surfaces. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4): 234-236.[citado 2024 nov. 01 ]
    • Vancouver

      Silva RC da, Ferraz AC. Structure and energetic of GaAs:Te and InAs:Te Surfaces. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4): 234-236.[citado 2024 nov. 01 ]
  • Source: Surface Science. Conference titles: European Conference on Surface Science. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science. Amsterdam: Elsevier. . Acesso em: 01 nov. 2024. , 1997
    • APA

      Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (1997). Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science. Amsterdam: Elsevier.
    • NLM

      Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science. 1997 ; 377-379 121-124.[citado 2024 nov. 01 ]
    • Vancouver

      Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science. 1997 ; 377-379 121-124.[citado 2024 nov. 01 ]
  • Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      FAZZIO, Adalberto e FERRAZ, A. C. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 01 nov. 2024. , 1997
    • APA

      Fazzio, A., & Ferraz, A. C. (1997). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
    • NLM

      Fazzio A, Ferraz AC. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 344.[citado 2024 nov. 01 ]
    • Vancouver

      Fazzio A, Ferraz AC. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 344.[citado 2024 nov. 01 ]
  • Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      FAZZIO, Adalberto e FERRAZ, A. C. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 01 nov. 2024.
    • APA

      Fazzio, A., & Ferraz, A. C. (1997). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. In Proceedings. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
    • NLM

      Fazzio A, Ferraz AC. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
    • Vancouver

      Fazzio A, Ferraz AC. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
  • Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

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    • ABNT

      MIWA, R H e FERRAZ, A. C. Adsorption and dimer exchange process of 'As IND.2' molecule over GaAs:Te, GaAs:Se and GaAs:S surfaces. Brazilian Journal of Physics, v. 27A, n. 4, p. 134-137, 1997Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2024.
    • APA

      Miwa, R. H., & Ferraz, A. C. (1997). Adsorption and dimer exchange process of 'As IND.2' molecule over GaAs:Te, GaAs:Se and GaAs:S surfaces. Brazilian Journal of Physics, 27A( 4), 134-137.
    • NLM

      Miwa RH, Ferraz AC. Adsorption and dimer exchange process of 'As IND.2' molecule over GaAs:Te, GaAs:Se and GaAs:S surfaces. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 134-137.[citado 2024 nov. 01 ]
    • Vancouver

      Miwa RH, Ferraz AC. Adsorption and dimer exchange process of 'As IND.2' molecule over GaAs:Te, GaAs:Se and GaAs:S surfaces. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 134-137.[citado 2024 nov. 01 ]

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