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Trabalho de evento-resumo
Ab initio study of beta-'Si IND.3''N IND.4' (0001): electronic and structural properties (2003)
Mota, F de Brito; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, F de Brito e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Ab initio study of beta-'Si IND.3''N IND.4' (0001): electronic and structural properties. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 20 ago. 2024.
APA
Mota, F. de B., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Ab initio study of beta-'Si IND.3''N IND.4' (0001): electronic and structural properties. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Mota F de B, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio study of beta-'Si IND.3''N IND.4' (0001): electronic and structural properties. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 ago. 20 ]
Vancouver
Mota F de B, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio study of beta-'Si IND.3''N IND.4' (0001): electronic and structural properties. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 ago. 20 ]
Artigo de periodico
Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties (2002)
Mota, F de Brito; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, F de Brito e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 436-438, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf. Acesso em: 20 ago. 2024.
APA
Mota, F. de B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2002). Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 436-438. Recuperado de http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
NLM
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 436-438.[citado 2024 ago. 20 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
Vancouver
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 436-438.[citado 2024 ago. 20 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
Artigo de periodico
First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H (2002)
Justo Filho, João Francisco ; Mota, F de Brito; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, NÃO METAIS
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MOTA, F de Brito e FAZZIO, Adalberto. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H. Physical Review B, v. 65, n. 7, p. 73202/1-73202/4, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips. Acesso em: 20 ago. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Mota, F. de B., & Fazzio, A. (2002). First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H. Physical Review B, 65( 7), 73202/1-73202/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
NLM
Justo Filho JF, Mota F de B, Fazzio A. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 73202/1-73202/4.[citado 2024 ago. 20 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
Vancouver
Justo Filho JF, Mota F de B, Fazzio A. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 73202/1-73202/4.[citado 2024 ago. 20 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
First principles investigations of electronics and structural properties of the 'beta'-'Si IND.3' 'Na IND.4'(001) surface (2002)
Mota, Fernando de Brito; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS
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ABNT
MOTA, Fernando de Brito e FAZZIO, Adalberto. First principles investigations of electronics and structural properties of the 'beta'-'Si IND.3' 'Na IND.4'(001) surface. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 20 ago. 2024.
APA
Mota, F. de B., & Fazzio, A. (2002). First principles investigations of electronics and structural properties of the 'beta'-'Si IND.3' 'Na IND.4'(001) surface. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Mota F de B, Fazzio A. First principles investigations of electronics and structural properties of the 'beta'-'Si IND.3' 'Na IND.4'(001) surface. Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 20 ]
Vancouver
Mota F de B, Fazzio A. First principles investigations of electronics and structural properties of the 'beta'-'Si IND.3' 'Na IND.4'(001) surface. Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 20 ]
Trabalho de evento-resumo
Electronic properties of 'a-SiN IND.X'(1.0 < x < 1.8): an ab initio investigation (2000)
Mota, Fernando de Brito; Fazzio, Adalberto; Justo Filho, João Francisco
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, Fernando de Brito e FAZZIO, Adalberto e JUSTO FILHO, João Francisco. Electronic properties of 'a-SiN IND.X'(1.0 < x < 1.8): an ab initio investigation. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 20 ago. 2024.
APA
Mota, F. de B., Fazzio, A., & Justo Filho, J. F. (2000). Electronic properties of 'a-SiN IND.X'(1.0 < x < 1.8): an ab initio investigation. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Mota F de B, Fazzio A, Justo Filho JF. Electronic properties of 'a-SiN IND.X'(1.0 < x < 1.8): an ab initio investigation. Resumos. 2000 ;[citado 2024 ago. 20 ]
Vancouver
Mota F de B, Fazzio A, Justo Filho JF. Electronic properties of 'a-SiN IND.X'(1.0 < x < 1.8): an ab initio investigation. Resumos. 2000 ;[citado 2024 ago. 20 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio (1999)
Mota, Fernando de Brito; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, Fernando de Brito e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 20 ago. 2024.
APA
Mota, F. de B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1999). Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio. In Programa e Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio. Programa e Resumos. 1999 ;[citado 2024 ago. 20 ]
Vancouver
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio. Programa e Resumos. 1999 ;[citado 2024 ago. 20 ]
Artigo de periodico
Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride (1999)
Mota, Fernando de Brito; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, Fernando de Brito e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride. Journal of Applied Physics, v. 86, n. 4, p. 1843-1847, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.370977. Acesso em: 20 ago. 2024.
APA
Mota, F. de B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1999). Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride. Journal of Applied Physics, 86( 4), 1843-1847. doi:10.1063/1.370977
NLM
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Journal of Applied Physics. 1999 ; 86( 4): 1843-1847.[citado 2024 ago. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.370977
Vancouver
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Journal of Applied Physics. 1999 ; 86( 4): 1843-1847.[citado 2024 ago. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.370977

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