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  • Artigo de periodico

    Electronic properties of copper-3d transition-metal pairs in silicon (1999)

    Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.

    Source: International Journal of Modern Physics B. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. Electronic properties of copper-3d transition-metal pairs in silicon. International Journal of Modern Physics B, v. 13, n. 18, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1142/S0217979299002472. Acesso em: 17 ago. 2024.

    • APA

      Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (1999). Electronic properties of copper-3d transition-metal pairs in silicon. International Journal of Modern Physics B, 13( 18). doi:10.1142/S0217979299002472

    • NLM

      Justo Filho JF, Assali LVC. Electronic properties of copper-3d transition-metal pairs in silicon [Internet]. International Journal of Modern Physics B. 1999 ; 13( 18):[citado 2024 ago. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1142/S0217979299002472

    • Vancouver

      Justo Filho JF, Assali LVC. Electronic properties of copper-3d transition-metal pairs in silicon [Internet]. International Journal of Modern Physics B. 1999 ; 13( 18):[citado 2024 ago. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1142/S0217979299002472

  • Trabalho de evento-resumo

    Theoretical investigations of the bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon (1990)

    Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.

    Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    How to cite
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    • ABNT

      ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Theoretical investigations of the bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. 1990, Anais.. Thessaloniki: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 17 ago. 2024.

    • APA

      Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1990). Theoretical investigations of the bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. In . Thessaloniki: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.

    • NLM

      Assali LVC, Leite JR. Theoretical investigations of the bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. 1990 ;[citado 2024 ago. 17 ]

    • Vancouver

      Assali LVC, Leite JR. Theoretical investigations of the bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. 1990 ;[citado 2024 ago. 17 ]

  • Trabalho de evento-resumo

    Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon (1990)

    Lino, A T; Leite, J. R.; Assali, L. V. C. ; Gomes, V M S

    Conference titles: Brazilian School of Semiconductors Physics. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LINO, A T et al. Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. 1990, Anais.. Singapure: World Scientific, 1990. . Acesso em: 17 ago. 2024.

    • APA

      Lino, A. T., Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1990). Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. In . Singapure: World Scientific.

    • NLM

      Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. 1990 ;[citado 2024 ago. 17 ]

    • Vancouver

      Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. 1990 ;[citado 2024 ago. 17 ]
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