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  • Relatorio tecnico

    Estudo de dispositivos miniaturizados para controle de escoamento de fluídos (2000)

    Simões, Eliphas Wagner; Furlan, Rogério

    Unidade: EP

    Assunto: ESCOAMENTO (CONTROLE)

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SIMÕES, Eliphas Wagner e FURLAN, Rogério. Estudo de dispositivos miniaturizados para controle de escoamento de fluídos. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 27 set. 2024. , 2000

    • APA

      Simões, E. W., & Furlan, R. (2000). Estudo de dispositivos miniaturizados para controle de escoamento de fluídos. São Paulo: EPUSP.

    • NLM

      Simões EW, Furlan R. Estudo de dispositivos miniaturizados para controle de escoamento de fluídos. 2000 ;[citado 2024 set. 27 ]

    • Vancouver

      Simões EW, Furlan R. Estudo de dispositivos miniaturizados para controle de escoamento de fluídos. 2000 ;[citado 2024 set. 27 ]

  • Relatorio tecnico

    Obtenção de filmes de nitreto de silício por deposição química assistida por plasma acoplado indutivamente (2000)

    Zambom, Luís da Silva ; Furlan, Rogério ; Mansano, Ronaldo Domingues

    Unidade: EP

    Assunto: LASER

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ZAMBOM, Luís da Silva e FURLAN, Rogério e MANSANO, Ronaldo Domingues. Obtenção de filmes de nitreto de silício por deposição química assistida por plasma acoplado indutivamente. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 27 set. 2024. , 2000

    • APA

      Zambom, L. da S., Furlan, R., & Mansano, R. D. (2000). Obtenção de filmes de nitreto de silício por deposição química assistida por plasma acoplado indutivamente. São Paulo: EPUSP.

    • NLM

      Zambom L da S, Furlan R, Mansano RD. Obtenção de filmes de nitreto de silício por deposição química assistida por plasma acoplado indutivamente. 2000 ;[citado 2024 set. 27 ]

    • Vancouver

      Zambom L da S, Furlan R, Mansano RD. Obtenção de filmes de nitreto de silício por deposição química assistida por plasma acoplado indutivamente. 2000 ;[citado 2024 set. 27 ]
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