Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors (2002)
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
ABNT
AYRES, F e ASSALI, L. V. C. Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 04 out. 2024.APA
Ayres, F., & Assali, L. V. C. (2002). Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors. In Livro de Resumos. São Paulo: SBF.NLM
Ayres F, Assali LVC. Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors. Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 out. 04 ]Vancouver
Ayres F, Assali LVC. Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors. Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 out. 04 ]