Miniband effects in short-period InGaAs/InP superlattices (2006)
Source: Program. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, EFEITO RAMAN, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MAGNETISMO, POLARIZAÇÃO
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Miniband effects in short-period InGaAs/InP superlattices. 2006, Anais.. Vienna: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2006. . Acesso em: 03 nov. 2024.APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. G., Galzerani, J. C., Cornet, D. M., Comedi, D., & LaPierre, R. R. (2006). Miniband effects in short-period InGaAs/InP superlattices. In Program. Vienna: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.NLM
Pusep YA, Rodrigues AG, Galzerani JC, Cornet DM, Comedi D, LaPierre RR. Miniband effects in short-period InGaAs/InP superlattices. Program. 2006 ;[citado 2024 nov. 03 ]Vancouver
Pusep YA, Rodrigues AG, Galzerani JC, Cornet DM, Comedi D, LaPierre RR. Miniband effects in short-period InGaAs/InP superlattices. Program. 2006 ;[citado 2024 nov. 03 ]