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  • Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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      DAL PINO JUNIOR, Arnaldo. Inclusão de efeito de muitos eletrons no metodo do espalhamento multiplo: aplicacao ao 'MN' substitucional em 'GA''AS'. 1982. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1982. . Acesso em: 15 out. 2024.
    • APA

      Dal Pino Junior, A. (1982). Inclusão de efeito de muitos eletrons no metodo do espalhamento multiplo: aplicacao ao 'MN' substitucional em 'GA''AS' (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Dal Pino Junior A. Inclusão de efeito de muitos eletrons no metodo do espalhamento multiplo: aplicacao ao 'MN' substitucional em 'GA''AS'. 1982 ;[citado 2024 out. 15 ]
    • Vancouver

      Dal Pino Junior A. Inclusão de efeito de muitos eletrons no metodo do espalhamento multiplo: aplicacao ao 'MN' substitucional em 'GA''AS'. 1982 ;[citado 2024 out. 15 ]
  • Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      MAKIUCHI, Nilo. Niveis profundos em 'GA'p: monovacancias e oxigenio substitucional. 1982. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1982. . Acesso em: 15 out. 2024.
    • APA

      Makiuchi, N. (1982). Niveis profundos em 'GA'p: monovacancias e oxigenio substitucional (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Makiuchi N. Niveis profundos em 'GA'p: monovacancias e oxigenio substitucional. 1982 ;[citado 2024 out. 15 ]
    • Vancouver

      Makiuchi N. Niveis profundos em 'GA'p: monovacancias e oxigenio substitucional. 1982 ;[citado 2024 out. 15 ]

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