Tailoring excitonic and optoelectronic properties of transition metal dichalcogenide bilayers (2022)
Silveira, Julian Francisco Rama Vieira 
; Besse, Rafael ; Dias, Alexandre Cavalheiro ; Caturello, Naidel A. M. S. ; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Journal of Physical Chemistry C. Unidades: IQSC, IFSC
Subjects: FÍSICO-QUÍMICA, METAIS, QUÍMICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVEIRA, Julian Francisco Rama Vieira et al. Tailoring excitonic and optoelectronic properties of transition metal dichalcogenide bilayers. Journal of Physical Chemistry C, v. 126, n. 21, p. 9173-9184, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.2c02023. Acesso em: 31 maio 2024.APA
Silveira, J. F. R. V., Besse, R., Dias, A. C., Caturello, N. A. M. S., & Silva, J. L. F. da. (2022). Tailoring excitonic and optoelectronic properties of transition metal dichalcogenide bilayers. Journal of Physical Chemistry C, 126( 21), 9173-9184. doi:10.1021/acs.jpcc.2c02023NLM
Silveira JFRV, Besse R, Dias AC, Caturello NAMS, Silva JLF da. Tailoring excitonic and optoelectronic properties of transition metal dichalcogenide bilayers [Internet]. Journal of Physical Chemistry C. 2022 ; 126( 21): 9173-9184.[citado 2024 maio 31 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.2c02023Vancouver
Silveira JFRV, Besse R, Dias AC, Caturello NAMS, Silva JLF da. Tailoring excitonic and optoelectronic properties of transition metal dichalcogenide bilayers [Internet]. Journal of Physical Chemistry C. 2022 ; 126( 21): 9173-9184.[citado 2024 maio 31 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.2c02023
