Hole confinement effects in periodically 'GAMA'-doped 'GA''AS' layers (1993)
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MENDONCA, C A C et al. Hole confinement effects in periodically 'GAMA'-doped 'GA''AS' layers. 1993, Anais.. Singapura: World Scientific, 1993. . Acesso em: 02 ago. 2024.APA
Mendonca, C. A. C., Scolfaro, L. M. R., Henriques, A. B., Oliveira, J. B. B., Plentz, F., Shibli, S. M., et al. (1993). Hole confinement effects in periodically 'GAMA'-doped 'GA''AS' layers. In Proceedings. Singapura: World Scientific.NLM
Mendonca CAC, Scolfaro LMR, Henriques AB, Oliveira JBB, Plentz F, Shibli SM, Meneses EA, Leite JR. Hole confinement effects in periodically 'GAMA'-doped 'GA''AS' layers. Proceedings. 1993 ;[citado 2024 ago. 02 ]Vancouver
Mendonca CAC, Scolfaro LMR, Henriques AB, Oliveira JBB, Plentz F, Shibli SM, Meneses EA, Leite JR. Hole confinement effects in periodically 'GAMA'-doped 'GA''AS' layers. Proceedings. 1993 ;[citado 2024 ago. 02 ]