MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence (1989)
Bernussi, A. A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Ceschin, A. M.; Siu Li, Máximo 
; Hipólito, Oscar
Source: Anais. Conference titles: Escola Brasileira de Física de Semicondutores. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. 1989, Anais.. Belo Horizonte: UFMG, 1989. . Acesso em: 15 nov. 2024.APA
Bernussi, A. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Ceschin, A. M., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1989). MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. In Anais. Belo Horizonte: UFMG.NLM
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O. MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 15 ]Vancouver
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O. MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 15 ]
