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  • Source: Anais. Conference titles: Reunião Anual da Sociedade Brasileira de Química - RASBQ. Unidade: IQSC

    Subjects: ENERGIA SOLAR, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      INUI, Guilherme K. e BESSE, Rafael e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da. Theoretical Screening of Two Dimensional MQx Chalcogenides (M = Cu, Ag; Q = S, Se, Te, and x = 0.5, 1.0, 1.5, 2.0) via Density Functional Theory. 2023, Anais.. São Paulo: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.eventweb.com.br/46rasbq/specific-files/manuscripts/46rasbq/134_1675250784.pdf. Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Inui, G. K., Besse, R., & Silva, J. L. F. da. (2023). Theoretical Screening of Two Dimensional MQx Chalcogenides (M = Cu, Ag; Q = S, Se, Te, and x = 0.5, 1.0, 1.5, 2.0) via Density Functional Theory. In Anais. São Paulo: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://www.eventweb.com.br/46rasbq/specific-files/manuscripts/46rasbq/134_1675250784.pdf
    • NLM

      Inui GK, Besse R, Silva JLF da. Theoretical Screening of Two Dimensional MQx Chalcogenides (M = Cu, Ag; Q = S, Se, Te, and x = 0.5, 1.0, 1.5, 2.0) via Density Functional Theory [Internet]. Anais. 2023 ;[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/46rasbq/specific-files/manuscripts/46rasbq/134_1675250784.pdf
    • Vancouver

      Inui GK, Besse R, Silva JLF da. Theoretical Screening of Two Dimensional MQx Chalcogenides (M = Cu, Ag; Q = S, Se, Te, and x = 0.5, 1.0, 1.5, 2.0) via Density Functional Theory [Internet]. Anais. 2023 ;[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/46rasbq/specific-files/manuscripts/46rasbq/134_1675250784.pdf
  • Source: Energy Advances. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, ENERGIA SOLAR, ELETROQUÍMICA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      CORREA, Andressa dos Santos et al. Interfacial band alignment and photoelectrochemical properties of all-sputtered BiVO4/FeNiOx and BiVO4/FeMnOx p-n heterojunctions. Energy Advances, v. 2, n. Ja 2023, p. 123-136 + supplementary information, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039/d2ya00247g. Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Correa, A. dos S., Rabelo, L. G., Santa Rosa, W., Khan, N., Krishnamurthy, S., Khan, S., & Gonçalves, R. V. (2023). Interfacial band alignment and photoelectrochemical properties of all-sputtered BiVO4/FeNiOx and BiVO4/FeMnOx p-n heterojunctions. Energy Advances, 2( Ja 2023), 123-136 + supplementary information. doi:10.1039/d2ya00247g
    • NLM

      Correa A dos S, Rabelo LG, Santa Rosa W, Khan N, Krishnamurthy S, Khan S, Gonçalves RV. Interfacial band alignment and photoelectrochemical properties of all-sputtered BiVO4/FeNiOx and BiVO4/FeMnOx p-n heterojunctions [Internet]. Energy Advances. 2023 ; 2( Ja 2023): 123-136 + supplementary information.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1039/d2ya00247g
    • Vancouver

      Correa A dos S, Rabelo LG, Santa Rosa W, Khan N, Krishnamurthy S, Khan S, Gonçalves RV. Interfacial band alignment and photoelectrochemical properties of all-sputtered BiVO4/FeNiOx and BiVO4/FeMnOx p-n heterojunctions [Internet]. Energy Advances. 2023 ; 2( Ja 2023): 123-136 + supplementary information.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1039/d2ya00247g
  • Source: Physical Review B. Unidade: IQSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, CRISTALOGRAFIA FÍSICA

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    • ABNT

      QUERNE, Mateus Bazan Peters et al. Crystal structure and electrical and optical properties of two-dimensional group-IV monochalcogenides. Physical Review B, p. 085409, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.085409. Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Querne, M. B. P., Bracht, J. M., Silva, J. L. F. da, Janotti, A., & Lima, M. P. (2023). Crystal structure and electrical and optical properties of two-dimensional group-IV monochalcogenides. Physical Review B, 085409. doi:10.1103/PhysRevB.108.085409
    • NLM

      Querne MBP, Bracht JM, Silva JLF da, Janotti A, Lima MP. Crystal structure and electrical and optical properties of two-dimensional group-IV monochalcogenides [Internet]. Physical Review B. 2023 ; 085409.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.085409
    • Vancouver

      Querne MBP, Bracht JM, Silva JLF da, Janotti A, Lima MP. Crystal structure and electrical and optical properties of two-dimensional group-IV monochalcogenides [Internet]. Physical Review B. 2023 ; 085409.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.085409
  • Source: Applied Surface Science Advances. Unidades: IQ, IFSC

    Subjects: PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, FOTOCATÁLISE, SEMICONDUTORES, ELETROQUÍMICA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      KHAN, Niqab et al. Recent advances on Z-scheme engineered BiVO4-based semiconductor photocatalysts for CO2 reduction: a review. Applied Surface Science Advances, v. 11, p. 100289-1-100289-16, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.apsadv.2022.100289. Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Khan, N., Stelo, F., Santos, G. H. C. dos, Rossi, L. M., Gonçalves, R. V., & Wender, H. (2022). Recent advances on Z-scheme engineered BiVO4-based semiconductor photocatalysts for CO2 reduction: a review. Applied Surface Science Advances, 11, 100289-1-100289-16. doi:10.1016/j.apsadv.2022.100289
    • NLM

      Khan N, Stelo F, Santos GHC dos, Rossi LM, Gonçalves RV, Wender H. Recent advances on Z-scheme engineered BiVO4-based semiconductor photocatalysts for CO2 reduction: a review [Internet]. Applied Surface Science Advances. 2022 ; 11 100289-1-100289-16.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsadv.2022.100289
    • Vancouver

      Khan N, Stelo F, Santos GHC dos, Rossi LM, Gonçalves RV, Wender H. Recent advances on Z-scheme engineered BiVO4-based semiconductor photocatalysts for CO2 reduction: a review [Internet]. Applied Surface Science Advances. 2022 ; 11 100289-1-100289-16.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsadv.2022.100289

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