Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: EP
Assunto: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
ABNT
FONSECA, Fernando Josepetti et al. Efeito do recozimento sobre o conteudo de H em películas de a-Si:H dopadas por implantação iônica. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1996. . Acesso em: 01 out. 2024.APA
Fonseca, F. J., Dirani, E. A. T., Sassaki, C. A., Andrade, A. M. de, & Takahashi, A. (1996). Efeito do recozimento sobre o conteudo de H em películas de a-Si:H dopadas por implantação iônica. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.NLM
Fonseca FJ, Dirani EAT, Sassaki CA, Andrade AM de, Takahashi A. Efeito do recozimento sobre o conteudo de H em películas de a-Si:H dopadas por implantação iônica. Resumos. 1996 ;[citado 2024 out. 01 ]Vancouver
Fonseca FJ, Dirani EAT, Sassaki CA, Andrade AM de, Takahashi A. Efeito do recozimento sobre o conteudo de H em películas de a-Si:H dopadas por implantação iônica. Resumos. 1996 ;[citado 2024 out. 01 ]