Fonte: Caderno de Resumos. Nome do evento: Workshop da Pós-Graduação em Física do IFSC. Unidades: IF, IFSC
Assuntos: ELÉTRONS, POLÍMEROS (MATERIAIS) (PROPRIEDADES ELÉTRICAS;APLICAÇÕES), ÓPTICA ELETRÔNICA
ABNT
DIONYSIO, D. Olzon et al. Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). 2009, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP, 2009. . Acesso em: 09 ago. 2024.APA
Dionysio, D. O., Chubaci, J. F. D., Matusoka, M., Faria, R. M., & Guimarães, F. E. G. (2009). Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). In Caderno de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP.NLM
Dionysio DO, Chubaci JFD, Matusoka M, Faria RM, Guimarães FEG. Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). Caderno de Resumos. 2009 ;[citado 2024 ago. 09 ]Vancouver
Dionysio DO, Chubaci JFD, Matusoka M, Faria RM, Guimarães FEG. Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). Caderno de Resumos. 2009 ;[citado 2024 ago. 09 ]