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Artigo de periodico
Annealing time on carrier dynamics of ZnTe nanoparticles embedded in a near ultraviolet-transparent glass (2014)
Silva, Alessandra S.; Lourenço, Sidney A.; Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da ; Duarte, José L.; Renzi, Wesley; Alcalde, Augusto M.; Dantas, Noelio O.
Source: Chemical Physics Letters. Unidade: IFSC
Subjects: NANOPARTÍCULAS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
SILVA, Alessandra S. et al. Annealing time on carrier dynamics of ZnTe nanoparticles embedded in a near ultraviolet-transparent glass. Chemical Physics Letters, v. 599, p. 146-153, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.cplett.2014.03.039. Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Silva, A. S., Lourenço, S. A., Silva, M. de A. P. da, Duarte, J. L., Renzi, W., Alcalde, A. M., & Dantas, N. O. (2014). Annealing time on carrier dynamics of ZnTe nanoparticles embedded in a near ultraviolet-transparent glass. Chemical Physics Letters, 599, 146-153. doi:10.1016/j.cplett.2014.03.039
NLM
Silva AS, Lourenço SA, Silva M de AP da, Duarte JL, Renzi W, Alcalde AM, Dantas NO. Annealing time on carrier dynamics of ZnTe nanoparticles embedded in a near ultraviolet-transparent glass [Internet]. Chemical Physics Letters. 2014 ; 599 146-153.[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.cplett.2014.03.039
Vancouver
Silva AS, Lourenço SA, Silva M de AP da, Duarte JL, Renzi W, Alcalde AM, Dantas NO. Annealing time on carrier dynamics of ZnTe nanoparticles embedded in a near ultraviolet-transparent glass [Internet]. Chemical Physics Letters. 2014 ; 599 146-153.[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.cplett.2014.03.039
Artigo de periodico
Theoretical and experimental study of the excitonic binding energy in 'GA''AS'/'AL''GA''AS' single and coupled double quantum wells (2013)
Lopes, E. M.; Cesar, D. F.); Franchello, F.; Duarte, J. L.; Dias, I. F. L.; Laureto, E.; Elias, D. C.; Pereira, M. V. M.; Guimaraes, P. S. S.; Quivy, Alain Andre
Source: JOURNAL OF LUMINESCENCE. Unidade: IF
Subjects: CAMPO MAGNÉTICO, FOTOLUMINESCÊNCIA, MAGNETISMO
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ABNT
LOPES, E. M. et al. Theoretical and experimental study of the excitonic binding energy in 'GA''AS'/'AL''GA''AS' single and coupled double quantum wells. JOURNAL OF LUMINESCENCE, v. 144, p. 98-104, 2013Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002223131300375X. Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Lopes, E. M., Cesar, D. F. ), Franchello, F., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Laureto, E., et al. (2013). Theoretical and experimental study of the excitonic binding energy in 'GA''AS'/'AL''GA''AS' single and coupled double quantum wells. JOURNAL OF LUMINESCENCE, 144, 98-104. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002223131300375X
NLM
Lopes EM, Cesar DF), Franchello F, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Elias DC, Pereira MVM, Guimaraes PSS, Quivy AA. Theoretical and experimental study of the excitonic binding energy in 'GA''AS'/'AL''GA''AS' single and coupled double quantum wells [Internet]. JOURNAL OF LUMINESCENCE. 2013 ; 144 98-104.[citado 2024 jul. 08 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002223131300375X
Vancouver
Lopes EM, Cesar DF), Franchello F, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Elias DC, Pereira MVM, Guimaraes PSS, Quivy AA. Theoretical and experimental study of the excitonic binding energy in 'GA''AS'/'AL''GA''AS' single and coupled double quantum wells [Internet]. JOURNAL OF LUMINESCENCE. 2013 ; 144 98-104.[citado 2024 jul. 08 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002223131300375X
Artigo de periodico
Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces (2012)
Lourenço, S. A.; Teodoro, M. D.; González-Borrero, P. P.; Dias, I. F. L.; Duarte, J. L.; Marega Júnior, Euclydes; Salamo, G. J.
Source: Physica B. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
LOURENÇO, S. A. et al. Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces. Physica B, v. 407, n. 12, p. 2131-2135, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2012.02.020. Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Teodoro, M. D., González-Borrero, P. P., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Marega Júnior, E., & Salamo, G. J. (2012). Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces. Physica B, 407( 12), 2131-2135. doi:10.1016/j.physb.2012.02.020
NLM
Lourenço SA, Teodoro MD, González-Borrero PP, Dias IFL, Duarte JL, Marega Júnior E, Salamo GJ. Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces [Internet]. Physica B. 2012 ; 407( 12): 2131-2135.[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2012.02.020
Vancouver
Lourenço SA, Teodoro MD, González-Borrero PP, Dias IFL, Duarte JL, Marega Júnior E, Salamo GJ. Analysis of confinement potential fluctuation and band-gap renormalization effects on excitonic transition in GaAs/AlGaAs multiquantum wells grown on (1 0 0) and (3 1 1)A GaAs surfaces [Internet]. Physica B. 2012 ; 407( 12): 2131-2135.[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2012.02.020
Artigo de periodico
Magnetophotoluminescence study of 'GA''AS'/'AL''GA''AS' coupled double quantum wells with bimodal heterointerface roughness (2012)
Lopes, E M; Menezes, J C M; Duarte, J L; Dias, I F L; Laureto, E; Guimarães, P S S; Subtil, A G S; Quivy, A A
Source: Journal of Luminescence. Unidade: IF
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, MAGNETISMO
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ABNT
LOPES, E M et al. Magnetophotoluminescence study of 'GA''AS'/'AL''GA''AS' coupled double quantum wells with bimodal heterointerface roughness. Journal of Luminescence, v. 132, n. 5, p. 1183-1187, 2012Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231311007344. Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Lopes, E. M., Menezes, J. C. M., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Laureto, E., Guimarães, P. S. S., et al. (2012). Magnetophotoluminescence study of 'GA''AS'/'AL''GA''AS' coupled double quantum wells with bimodal heterointerface roughness. Journal of Luminescence, 132( 5), 1183-1187. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231311007344
NLM
Lopes EM, Menezes JCM, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Guimarães PSS, Subtil AGS, Quivy AA. Magnetophotoluminescence study of 'GA''AS'/'AL''GA''AS' coupled double quantum wells with bimodal heterointerface roughness [Internet]. Journal of Luminescence. 2012 ;132( 5): 1183-1187.[citado 2024 jul. 08 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231311007344
Vancouver
Lopes EM, Menezes JCM, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Guimarães PSS, Subtil AGS, Quivy AA. Magnetophotoluminescence study of 'GA''AS'/'AL''GA''AS' coupled double quantum wells with bimodal heterointerface roughness [Internet]. Journal of Luminescence. 2012 ;132( 5): 1183-1187.[citado 2024 jul. 08 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231311007344
Artigo de periodico
Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder (2010)
Lopes, E M; Duarte, J L; Poças, L C; Dias, I. F. L; Laureto, E; Quivy, Alain Andre; Lamas, Tomas Eriksson
Source: JournalofLuminescence. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
LOPES, E M et al. Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder. JournalofLuminescence, v. 130, n. 3, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.10.013. Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Lopes, E. M., Duarte, J. L., Poças, L. C., Dias, I. F. L., Laureto, E., Quivy, A. A., & Lamas, T. E. (2010). Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder. JournalofLuminescence, 130( 3). doi:10.1016/j.jlumin.2009.10.013
NLM
Lopes EM, Duarte JL, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Quivy AA, Lamas TE. Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder [Internet]. JournalofLuminescence. 2010 ;130( 3):[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.10.013
Vancouver
Lopes EM, Duarte JL, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Quivy AA, Lamas TE. Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder [Internet]. JournalofLuminescence. 2010 ;130( 3):[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.10.013
Artigo de periodico
Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells (2009)
Morais, R R O; Dias, I F L; Silva, M A T da; Cesar, D F; Duarte, J L; Lourenço, S A; Laureto, E; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
MORAIS, R R O et al. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 21, n. 15, p. 155601/1-155601/7, 2009Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf. Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Silva, M. A. T. da, Cesar, D. F., Duarte, J. L., Lourenço, S. A., et al. (2009). Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, 21( 15), 155601/1-155601/7. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Silva MAT da, Cesar DF, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2009 ; 21( 15): 155601/1-155601/7.[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Silva MAT da, Cesar DF, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2009 ; 21( 15): 155601/1-155601/7.[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
Artigo de periodico
Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa (2008)
Teodoro, M. D.; Dias, I. F. L.; Laureto, E.; Duarte, J. L.; Borrero, P. P. González; Lourenço, S. A.; Mazzaro, I.; Marega Júnior, Euclydes; Salamo, G. J.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES, GASES, TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TEODORO, M. D. et al. Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa. Journal of Applied Physics, v. 103, n. 9, p. 093508-1-093508-7, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2913513. Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Teodoro, M. D., Dias, I. F. L., Laureto, E., Duarte, J. L., Borrero, P. P. G., Lourenço, S. A., et al. (2008). Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa. Journal of Applied Physics, 103( 9), 093508-1-093508-7. doi:10.1063/1.2913513
NLM
Teodoro MD, Dias IFL, Laureto E, Duarte JL, Borrero PPG, Lourenço SA, Mazzaro I, Marega Júnior E, Salamo GJ. Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 103( 9): 093508-1-093508-7.[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2913513
Vancouver
Teodoro MD, Dias IFL, Laureto E, Duarte JL, Borrero PPG, Lourenço SA, Mazzaro I, Marega Júnior E, Salamo GJ. Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 103( 9): 093508-1-093508-7.[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2913513
Artigo de periodico
Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs (2004)
Lourenço, S A; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Poças, L C; Toginho Filho, D O; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOURENÇO, S A et al. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031. Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Poças, L. C., Toginho Filho, D. O., & Leite, J. R. (2004). Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000300031
NLM
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Poças LC, Toginho Filho DO, Leite JR. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031
Vancouver
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Poças LC, Toginho Filho DO, Leite JR. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031
Artigo de periodico
Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs (2001)
Lourenço, S A; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Meneses, E A; Leite, J. R.; Mazzaro, I
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, ÓPTICA, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOURENÇO, S A et al. Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs. Journal of Applied Physics, v. 89, n. 11, p. 6159-6164, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1367875. Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Meneses, E. A., Leite, J. R., & Mazzaro, I. (2001). Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs. Journal of Applied Physics, 89( 11), 6159-6164. doi:10.1063/1.1367875
NLM
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Meneses EA, Leite JR, Mazzaro I. Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 89( 11): 6159-6164.[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1367875
Vancouver
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Meneses EA, Leite JR, Mazzaro I. Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 89( 11): 6159-6164.[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1367875

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