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Relatorio tecnico
Thermoelectric transport in two-dimensional topological insulator state based on 'HG''TE' quantum well (2018)
Gusev, Guennady; Levin, A. D.; Kvon, Z. D.; Raichev, O. E.; Dvoretsky, S. A.; Mikhailov, N. N.; Olshanetsky, E. B.
Unidade: IF
Subjects: CAMPO MAGNÉTICO, SEMICONDUTORES, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO
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ABNT
GUSEV, Guennady et al. Thermoelectric transport in two-dimensional topological insulator state based on 'HG''TE' quantum well. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/abs/1812.09226. Acesso em: 16 nov. 2024. , 2018
APA
Gusev, G., Levin, A. D., Kvon, Z. D., Raichev, O. E., Dvoretsky, S. A., Mikhailov, N. N., & Olshanetsky, E. B. (2018). Thermoelectric transport in two-dimensional topological insulator state based on 'HG''TE' quantum well. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/abs/1812.09226
NLM
Gusev G, Levin AD, Kvon ZD, Raichev OE, Dvoretsky SA, Mikhailov NN, Olshanetsky EB. Thermoelectric transport in two-dimensional topological insulator state based on 'HG''TE' quantum well [Internet]. 2018 ;[citado 2024 nov. 16 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1812.09226
Vancouver
Gusev G, Levin AD, Kvon ZD, Raichev OE, Dvoretsky SA, Mikhailov NN, Olshanetsky EB. Thermoelectric transport in two-dimensional topological insulator state based on 'HG''TE' quantum well [Internet]. 2018 ;[citado 2024 nov. 16 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1812.09226
Artigo de periodico
Photoconductivity relaxation mechanisms of InGaAs/GaAs quantum dot chain structures (2017)
Kondratenko, Serhiy V.; Iliash, Sviatoslav A.; Vakulenko, Oleg V.; Mazur, Yuriy I.; Benamara, Mourad; Marega Junior, Euclydes ; Salamo, Gregory J.
Source: Nanoscale Research Letters. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, FOTOCONDUTIVIDADE, SEMICONDUTORES, NANOPARTÍCULAS, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
KONDRATENKO, Serhiy V. et al. Photoconductivity relaxation mechanisms of InGaAs/GaAs quantum dot chain structures. Nanoscale Research Letters, v. 12, p. 183-1-183-7, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1186/s11671-017-1954-7. Acesso em: 16 nov. 2024.
APA
Kondratenko, S. V., Iliash, S. A., Vakulenko, O. V., Mazur, Y. I., Benamara, M., Marega Junior, E., & Salamo, G. J. (2017). Photoconductivity relaxation mechanisms of InGaAs/GaAs quantum dot chain structures. Nanoscale Research Letters, 12, 183-1-183-7. doi:10.1186/s11671-017-1954-7
NLM
Kondratenko SV, Iliash SA, Vakulenko OV, Mazur YI, Benamara M, Marega Junior E, Salamo GJ. Photoconductivity relaxation mechanisms of InGaAs/GaAs quantum dot chain structures [Internet]. Nanoscale Research Letters. 2017 ; 12 183-1-183-7.[citado 2024 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1186/s11671-017-1954-7
Vancouver
Kondratenko SV, Iliash SA, Vakulenko OV, Mazur YI, Benamara M, Marega Junior E, Salamo GJ. Photoconductivity relaxation mechanisms of InGaAs/GaAs quantum dot chain structures [Internet]. Nanoscale Research Letters. 2017 ; 12 183-1-183-7.[citado 2024 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1186/s11671-017-1954-7
Trabalho de evento-anais periodico
Delocalization-localization transition of plasmons in disordered superlattices (2011)
Pusep, Yuri A ; Rodrigues, A. D.; Sokolov, S. S.
Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: International Conference on Physics of Semiconductors. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ONDAS ELETROMAGNÉTICAS
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ABNT
PUSEP, Yuri A e RODRIGUES, A. D. e SOKOLOV, S. S. Delocalization-localization transition of plasmons in disordered superlattices. AIP Conference Proceedings. College Park: American Institute of Physics - AIP. Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3666429. Acesso em: 16 nov. 2024. , 2011
APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. D., & Sokolov, S. S. (2011). Delocalization-localization transition of plasmons in disordered superlattices. AIP Conference Proceedings. College Park: American Institute of Physics - AIP. doi:10.1063/1.3666429
NLM
Pusep YA, Rodrigues AD, Sokolov SS. Delocalization-localization transition of plasmons in disordered superlattices [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2011 ; 1399 413-414.[citado 2024 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3666429
Vancouver
Pusep YA, Rodrigues AD, Sokolov SS. Delocalization-localization transition of plasmons in disordered superlattices [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2011 ; 1399 413-414.[citado 2024 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3666429
Artigo de periodico
Irradiation induced pulsations of reverse biased metal oxide/silicon structures (2007)
Finka, D.; Kiv, A.; Fuks, D.; Tabacniks, Manfredo ; Rizzutto, Marcia ; Silva, A. De O. D.; Chandra, A.; Golovanov, V.; Ivanovskaya, M.; Khirunenko, L.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA NUCLEAR, SILÍCIO, COLISÕES DE ÍONS PESADOS RELATIVÍSTICOS, RESISTÊNCIA FÍSICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, FÍSICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES
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ABNT
FINKA, D. et al. Irradiation induced pulsations of reverse biased metal oxide/silicon structures. Applied Physics Letters, v. 91, n. 8, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2773950. Acesso em: 16 nov. 2024.
APA
Finka, D., Kiv, A., Fuks, D., Tabacniks, M., Rizzutto, M., Silva, A. D. O. D., et al. (2007). Irradiation induced pulsations of reverse biased metal oxide/silicon structures. Applied Physics Letters, 91( 8). doi:10.1063/1.2773950
NLM
Finka D, Kiv A, Fuks D, Tabacniks M, Rizzutto M, Silva ADOD, Chandra A, Golovanov V, Ivanovskaya M, Khirunenko L. Irradiation induced pulsations of reverse biased metal oxide/silicon structures [Internet]. Applied Physics Letters. 2007 ; 91( 8):[citado 2024 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2773950
Vancouver
Finka D, Kiv A, Fuks D, Tabacniks M, Rizzutto M, Silva ADOD, Chandra A, Golovanov V, Ivanovskaya M, Khirunenko L. Irradiation induced pulsations of reverse biased metal oxide/silicon structures [Internet]. Applied Physics Letters. 2007 ; 91( 8):[citado 2024 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2773950

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