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  • Dissertação (Mestrado)

    Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (2023)

    Carvalho, Henrique Lanfredi; Martino, João Antonio (Orientador) ; Rangel, Ricardo Cardoso (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, ALUMÍNIO

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    • ABNT

      CARVALHO, Henrique Lanfredi. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte. 2023. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/. Acesso em: 08 ago. 2024.

    • APA

      Carvalho, H. L. (2023). Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/

    • NLM

      Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/

    • Vancouver

      Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/

  • Tese (Doutorado)

    Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor (2023)

    Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)

    Unidade: EP

    Assunto: TRANSISTORES

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    • ABNT

      MORI, Carlos Augusto Bergfeld. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/. Acesso em: 08 ago. 2024.

    • APA

      Mori, C. A. B. (2023). Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/

    • NLM

      Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/

    • Vancouver

      Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/

  • Dissertação (Mestrado)

    Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício (2022)

    Sousa, Julia Cristina Soares; Der Agopian, Paula Ghedini (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, AMPLIFICADORES

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    • ABNT

      SOUSA, Julia Cristina Soares. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/. Acesso em: 08 ago. 2024.

    • APA

      Sousa, J. C. S. (2022). Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/

    • NLM

      Sousa JCS. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício [Internet]. 2022 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/

    • Vancouver

      Sousa JCS. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício [Internet]. 2022 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/

  • Tese (Doutorado)

    Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores (2022)

    Yojo, Leonardo Shimizu; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SENSORES BIOMÉDICOS, GLICOSE

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    • ABNT

      YOJO, Leonardo Shimizu. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/. Acesso em: 08 ago. 2024.

    • APA

      Yojo, L. S. (2022). Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/

    • NLM

      Yojo LS. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores [Internet]. 2022 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/

    • Vancouver

      Yojo LS. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores [Internet]. 2022 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (2022)

    Zangaro, Henrique Araújo; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES

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    • ABNT

      ZANGARO, Henrique Araújo. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/. Acesso em: 08 ago. 2024.

    • APA

      Zangaro, H. A. (2022). Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/

    • NLM

      Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/

    • Vancouver

      Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/

  • Tese (Doutorado)

    Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (2022)

    Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

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    • ABNT

      RANGEL, Ricardo Cardoso. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/. Acesso em: 08 ago. 2024.

    • APA

      Rangel, R. C. (2022). Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

    • NLM

      Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

    • Vancouver

      Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (2022)

    Leal, João Vitor da Costa; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, BAIXA TEMPERATURA

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    • ABNT

      LEAL, João Vitor da Costa. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/. Acesso em: 08 ago. 2024.

    • APA

      Leal, J. V. da C. (2022). Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/

    • NLM

      Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/

    • Vancouver

      Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/

  • Tese (Doutorado)

    Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores (2021)

    Macambira, Christian Nemeth; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES

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    • ABNT

      MACAMBIRA, Christian Nemeth. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores. 2021. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/. Acesso em: 08 ago. 2024.

    • APA

      Macambira, C. N. (2021). Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/

    • NLM

      Macambira CN. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores [Internet]. 2021 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/

    • Vancouver

      Macambira CN. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores [Internet]. 2021 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/

  • Tese (Doutorado)

    Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. (2021)

    Eirez Izquierdo, José Enrique ; Fonseca, Fernando Josepetti (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: NANOTECNOLOGIA, TRANSISTORES, ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      EIREZ IZQUIERDO, José Enrique. Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. 2021. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/. Acesso em: 08 ago. 2024.

    • APA

      Eirez Izquierdo, J. E. (2021). Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/

    • NLM

      Eirez Izquierdo JE. Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/

    • Vancouver

      Eirez Izquierdo JE. Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (2020)

    Gonçalves, Guilherme Vieira; Martino, João Antonio (Orientador) ; Oliveira, Alberto Vinicius de (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES

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    • ABNT

      GONÇALVES, Guilherme Vieira. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. 2020. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/. Acesso em: 08 ago. 2024.

    • APA

      Gonçalves, G. V. (2020). Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/

    • NLM

      Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/

    • Vancouver

      Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/

  • Dissertação (Mestrado)

    Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. (2019)

    Peixoto, José Augusto Padovese; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, SENSORES ÓPTICOS, TRANSISTORES

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    • ABNT

      PEIXOTO, José Augusto Padovese. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. 2019. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2019. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/. Acesso em: 08 ago. 2024.

    • APA

      Peixoto, J. A. P. (2019). Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/

    • NLM

      Peixoto JAP. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. [Internet]. 2019 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/

    • Vancouver

      Peixoto JAP. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. [Internet]. 2019 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/

  • Dissertação (Mestrado)

    Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla (2018)

    Torres, Henrique Lanza Faria; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: RADIAÇÃO IONIZANTE, TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS

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    • ABNT

      TORRES, Henrique Lanza Faria. Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/. Acesso em: 08 ago. 2024.

    • APA

      Torres, H. L. F. (2018). Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/

    • NLM

      Torres HLF. Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla [Internet]. 2018 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/

    • Vancouver

      Torres HLF. Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla [Internet]. 2018 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados (2018)

    Silva, Vanessa Cristina Pereira da; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)

    Unidade: EP

    Assunto: TRANSISTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, Vanessa Cristina Pereira da. Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11042018-091600/. Acesso em: 08 ago. 2024.

    • APA

      Silva, V. C. P. da. (2018). Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11042018-091600/

    • NLM

      Silva VCP da. Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados [Internet]. 2018 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11042018-091600/

    • Vancouver

      Silva VCP da. Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados [Internet]. 2018 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11042018-091600/

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB (2018)

    Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MORI, Carlos Augusto Bergfeld. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/. Acesso em: 08 ago. 2024.

    • APA

      Mori, C. A. B. (2018). Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/

    • NLM

      Mori CAB. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB [Internet]. 2018 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/

    • Vancouver

      Mori CAB. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB [Internet]. 2018 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/

  • Tese (Doutorado)

    Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) (2018)

    Itocazu, Vitor Tatsuo ; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ITOCAZU, Vitor Tatsuo. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW). 2018. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/. Acesso em: 08 ago. 2024.

    • APA

      Itocazu, V. T. (2018). Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/

    • NLM

      Itocazu VT. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) [Internet]. 2018 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/

    • Vancouver

      Itocazu VT. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) [Internet]. 2018 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET (2018)

    Yojo, Leonardo Shimizu; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES

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    • ABNT

      YOJO, Leonardo Shimizu. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/. Acesso em: 08 ago. 2024.

    • APA

      Yojo, L. S. (2018). Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/

    • NLM

      Yojo LS. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET [Internet]. 2018 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/

    • Vancouver

      Yojo LS. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET [Internet]. 2018 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/

  • Tese (Doutorado)

    Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas (2017)

    Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, TEMPERATURA, NANOTECNOLOGIA

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      BORDALLO, Caio Cesar Mendes. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/. Acesso em: 08 ago. 2024.

    • APA

      Bordallo, C. C. M. (2017). Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/

    • NLM

      Bordallo CCM. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/

    • Vancouver

      Bordallo CCM. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/

  • Tese (Doutorado)

    Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos (2017)

    Martino, Márcio Dalla Valle; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      MARTINO, Márcio Dalla Valle. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/. Acesso em: 08 ago. 2024.

    • APA

      Martino, M. D. V. (2017). Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/

    • NLM

      Martino MDV. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/

    • Vancouver

      Martino MDV. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs (2017)

    Macambira, Christian Nemeth; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, TEMPERATURA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MACAMBIRA, Christian Nemeth. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/. Acesso em: 08 ago. 2024.

    • APA

      Macambira, C. N. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/

    • NLM

      Macambira CN. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/

    • Vancouver

      Macambira CN. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (2017)

    Nascimento, Vinicius Mesquita do; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, SILÍCIO

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      NASCIMENTO, Vinicius Mesquita do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/. Acesso em: 08 ago. 2024.

    • APA

      Nascimento, V. M. do. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/

    • NLM

      Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/

    • Vancouver

      Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/

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