Alves, Marcelo Faustino; Morimoto, Nilton Itiro (Orientador) 
Subjects: SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, SILÍCIO
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ABNT
ALVES, Marcelo Faustino. Estudo do comportamento elétrico de dispositivos de potência a partir da otimização dos parâmetros de processo de deposição do filme SIPOS obtido por LPCVD. 2003. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052003-084613/. Acesso em: 10 jun. 2024.APA
Alves, M. F. (2003). Estudo do comportamento elétrico de dispositivos de potência a partir da otimização dos parâmetros de processo de deposição do filme SIPOS obtido por LPCVD (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052003-084613/NLM
Alves MF. Estudo do comportamento elétrico de dispositivos de potência a partir da otimização dos parâmetros de processo de deposição do filme SIPOS obtido por LPCVD [Internet]. 2003 ;[citado 2024 jun. 10 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052003-084613/Vancouver
Alves MF. Estudo do comportamento elétrico de dispositivos de potência a partir da otimização dos parâmetros de processo de deposição do filme SIPOS obtido por LPCVD [Internet]. 2003 ;[citado 2024 jun. 10 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052003-084613/
