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Relatorio tecnico
Magnetoresistance of doped silicon (2015)
Silva, Antonio Ferreira da; Boudinov, Henri; Sernelius, Bo E.; Momtaz, Zahra Sadre; Levine, Alexandre
Unidade: IF
Subjects: ESPECTROSCOPIA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
SILVA, Antonio Ferreira da et al. Magnetoresistance of doped silicon. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/pdf/1506.01542v1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2024. , 2015
APA
Silva, A. F. da, Boudinov, H., Sernelius, B. E., Momtaz, Z. S., & Levine, A. (2015). Magnetoresistance of doped silicon. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/pdf/1506.01542v1.pdf
NLM
Silva AF da, Boudinov H, Sernelius BE, Momtaz ZS, Levine A. Magnetoresistance of doped silicon [Internet]. 2015 ;[citado 2024 nov. 04 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1506.01542v1.pdf
Vancouver
Silva AF da, Boudinov H, Sernelius BE, Momtaz ZS, Levine A. Magnetoresistance of doped silicon [Internet]. 2015 ;[citado 2024 nov. 04 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1506.01542v1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Estabilidade conformacional de complexos moleculares de lactonitrila e água (2004)
Rivelino, Roberto; Canuto, Sylvio
Source: Programação. Conference titles: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FÍSICO-QUÍMICA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RIVELINO, Roberto e CANUTO, Sylvio. Estabilidade conformacional de complexos moleculares de lactonitrila e água. 2004, Anais.. Salvador: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0022-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Rivelino, R., & Canuto, S. (2004). Estabilidade conformacional de complexos moleculares de lactonitrila e água. In Programação. Salvador: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0022-1.pdf
NLM
Rivelino R, Canuto S. Estabilidade conformacional de complexos moleculares de lactonitrila e água [Internet]. Programação. 2004 ;[citado 2024 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0022-1.pdf
Vancouver
Rivelino R, Canuto S. Estabilidade conformacional de complexos moleculares de lactonitrila e água [Internet]. Programação. 2004 ;[citado 2024 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0022-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Ab initio study of beta-'Si IND.3''N IND.4' (0001): electronic and structural properties (2003)
Mota, F de Brito; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MOTA, F de Brito e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Ab initio study of beta-'Si IND.3''N IND.4' (0001): electronic and structural properties. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Mota, F. de B., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Ab initio study of beta-'Si IND.3''N IND.4' (0001): electronic and structural properties. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Mota F de B, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio study of beta-'Si IND.3''N IND.4' (0001): electronic and structural properties. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Mota F de B, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio study of beta-'Si IND.3''N IND.4' (0001): electronic and structural properties. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties (2002)
Mota, F de Brito; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MOTA, F de Brito e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 436-438, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf. Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Mota, F. de B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2002). Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 436-438. Recuperado de http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
NLM
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 436-438.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
Vancouver
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 436-438.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
Artigo de periodico
First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H (2002)
Justo Filho, João Francisco ; Mota, F de Brito; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, NÃO METAIS
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MOTA, F de Brito e FAZZIO, Adalberto. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H. Physical Review B, v. 65, n. 7, p. 73202/1-73202/4, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Mota, F. de B., & Fazzio, A. (2002). First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H. Physical Review B, 65( 7), 73202/1-73202/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
NLM
Justo Filho JF, Mota F de B, Fazzio A. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 73202/1-73202/4.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
Vancouver
Justo Filho JF, Mota F de B, Fazzio A. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 73202/1-73202/4.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si (2002)
Araujo, C. Moyses; Fernandez, J. R. L.; Silva, A. Ferreira da; Pepe, I.; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E.; Tabata, A.; Persson, C.; Ahuja, R.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
ARAUJO, C. Moyses et al. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, v. 33, n. 4, p. 365-369, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1. Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Araujo, C. M., Fernandez, J. R. L., Silva, A. F. da, Pepe, I., Leite, J. R., Sernelius, B. E., et al. (2002). Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, 33( 4), 365-369. doi:10.1016/s0026-2692(01)00133-1
NLM
Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1
Vancouver
Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1
Trabalho de evento-resumo
First principles investigations of electronics and structural properties of the 'beta'-'Si IND.3' 'Na IND.4'(001) surface (2002)
Mota, Fernando de Brito; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS
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ABNT
MOTA, Fernando de Brito e FAZZIO, Adalberto. First principles investigations of electronics and structural properties of the 'beta'-'Si IND.3' 'Na IND.4'(001) surface. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Mota, F. de B., & Fazzio, A. (2002). First principles investigations of electronics and structural properties of the 'beta'-'Si IND.3' 'Na IND.4'(001) surface. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Mota F de B, Fazzio A. First principles investigations of electronics and structural properties of the 'beta'-'Si IND.3' 'Na IND.4'(001) surface. Resumos. 2002 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Mota F de B, Fazzio A. First principles investigations of electronics and structural properties of the 'beta'-'Si IND.3' 'Na IND.4'(001) surface. Resumos. 2002 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems (2001)
Fernandez, J R L; Araujo, C Moyses; Silva, A Ferreira da; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E; Tabata, A; Abramog, E; Chitta, V A; Persson, C; Ahuja, R; Pepe, I; As, D J; Frey, T; Schikora, D; Lischka, K
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: DIELÉTRICOS, RESISTÊNCIA ELÉTRICA, MATERIAIS (ANÁLISE;TESTES), RESISTÊNCIA DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems. Journal of Crystal Growth, v. 231, n. 3, p. 420-427, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)01473-7. Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Araujo, C. M., Silva, A. F. da, Leite, J. R., Sernelius, B. E., Tabata, A., et al. (2001). Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems. Journal of Crystal Growth, 231( 3), 420-427. doi:10.1016/s0022-0248(01)01473-7
NLM
Fernandez JRL, Araujo CM, Silva AF da, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Abramog E, Chitta VA, Persson C, Ahuja R, Pepe I, As DJ, Frey T, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2001 ; 231( 3): 420-427.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)01473-7
Vancouver
Fernandez JRL, Araujo CM, Silva AF da, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Abramog E, Chitta VA, Persson C, Ahuja R, Pepe I, As DJ, Frey T, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2001 ; 231( 3): 420-427.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)01473-7
Trabalho de evento-resumo
Electronic properties of 'a-SiN IND.X'(1.0 < x < 1.8): an ab initio investigation (2000)
Mota, Fernando de Brito; Fazzio, Adalberto; Justo Filho, João Francisco
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, Fernando de Brito e FAZZIO, Adalberto e JUSTO FILHO, João Francisco. Electronic properties of 'a-SiN IND.X'(1.0 < x < 1.8): an ab initio investigation. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Mota, F. de B., Fazzio, A., & Justo Filho, J. F. (2000). Electronic properties of 'a-SiN IND.X'(1.0 < x < 1.8): an ab initio investigation. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Mota F de B, Fazzio A, Justo Filho JF. Electronic properties of 'a-SiN IND.X'(1.0 < x < 1.8): an ab initio investigation. Resumos. 2000 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Mota F de B, Fazzio A, Justo Filho JF. Electronic properties of 'a-SiN IND.X'(1.0 < x < 1.8): an ab initio investigation. Resumos. 2000 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio (1999)
Mota, Fernando de Brito; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, Fernando de Brito e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Mota, F. de B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1999). Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio. In Programa e Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio. Programa e Resumos. 1999 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio. Programa e Resumos. 1999 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride (1999)
Mota, Fernando de Brito; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, Fernando de Brito e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride. Journal of Applied Physics, v. 86, n. 4, p. 1843-1847, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.370977. Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Mota, F. de B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1999). Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride. Journal of Applied Physics, 86( 4), 1843-1847. doi:10.1063/1.370977
NLM
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Journal of Applied Physics. 1999 ; 86( 4): 1843-1847.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.370977
Vancouver
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Journal of Applied Physics. 1999 ; 86( 4): 1843-1847.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.370977

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