Subjects: DIODOS, OXIDAÇÃO, SEMICONDUTORES
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ABNT
ALANDIA, Bárbara Siano. Fabricação e caracterização experimental de diodos tunel MOS Al/SiOxNy/Si(p) e TiN/SiOxNy/Si(p). 2016. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18082016-142744/. Acesso em: 28 set. 2024.APA
Alandia, B. S. (2016). Fabricação e caracterização experimental de diodos tunel MOS Al/SiOxNy/Si(p) e TiN/SiOxNy/Si(p) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18082016-142744/NLM
Alandia BS. Fabricação e caracterização experimental de diodos tunel MOS Al/SiOxNy/Si(p) e TiN/SiOxNy/Si(p) [Internet]. 2016 ;[citado 2024 set. 28 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18082016-142744/Vancouver
Alandia BS. Fabricação e caracterização experimental de diodos tunel MOS Al/SiOxNy/Si(p) e TiN/SiOxNy/Si(p) [Internet]. 2016 ;[citado 2024 set. 28 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18082016-142744/