Subjects: DOSIMETRIA, RADIAÇÃO GAMA (EFEITOS), COBALTO, SILÍCIO, DIODOS
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ABNT
CAMARGO, Fábio de. Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses. 2009. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-07122009-142809/. Acesso em: 16 nov. 2024.APA
Camargo, F. de. (2009). Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-07122009-142809/NLM
Camargo F de. Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses [Internet]. 2009 ;[citado 2024 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-07122009-142809/Vancouver
Camargo F de. Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses [Internet]. 2009 ;[citado 2024 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-07122009-142809/
