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Dissertação (Mestrado)
Algoritmos eficientes para estimação de imagens acústicas. (2021)
Santos, Paulo Otavio Moreira dos; Nascimento, Vítor Heloiz (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: PROCESSAMENTO DIGITAL DE SINAIS, ACÚSTICA
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ABNT
SANTOS, Paulo Otavio Moreira dos. Algoritmos eficientes para estimação de imagens acústicas. 2021. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-08042021-110846/. Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Santos, P. O. M. dos. (2021). Algoritmos eficientes para estimação de imagens acústicas. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-08042021-110846/
NLM
Santos POM dos. Algoritmos eficientes para estimação de imagens acústicas. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-08042021-110846/
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Santos POM dos. Algoritmos eficientes para estimação de imagens acústicas. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-08042021-110846/
Dissertação (Mestrado)
Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla (2018)
Torres, Henrique Lanza Faria; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: RADIAÇÃO IONIZANTE, TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
TORRES, Henrique Lanza Faria. Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/. Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Torres, H. L. F. (2018). Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/
NLM
Torres HLF. Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla [Internet]. 2018 ;[citado 2024 jul. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/
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Torres HLF. Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla [Internet]. 2018 ;[citado 2024 jul. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/
Dissertação (Mestrado)
Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB (2018)
Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
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ABNT
MORI, Carlos Augusto Bergfeld. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/. Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Mori, C. A. B. (2018). Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/
NLM
Mori CAB. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB [Internet]. 2018 ;[citado 2024 jul. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/
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Mori CAB. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB [Internet]. 2018 ;[citado 2024 jul. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/
Dissertação (Mestrado)
Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET (2018)
Yojo, Leonardo Shimizu; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
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ABNT
YOJO, Leonardo Shimizu. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/. Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Yojo, L. S. (2018). Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/
NLM
Yojo LS. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET [Internet]. 2018 ;[citado 2024 jul. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/
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Yojo LS. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET [Internet]. 2018 ;[citado 2024 jul. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/
Dissertação (Mestrado)
Classification techniques for adaptive distributed networks and aeronautical structures (2018)
Feitosa, Allan Eduardo; Lopes, Cássio Guimarães (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: ESTRUTURAS, ACÚSTICA, SENSOR
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ABNT
FEITOSA, Allan Eduardo. Classification techniques for adaptive distributed networks and aeronautical structures. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-05022019-104746/. Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Feitosa, A. E. (2018). Classification techniques for adaptive distributed networks and aeronautical structures (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-05022019-104746/
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Feitosa AE. Classification techniques for adaptive distributed networks and aeronautical structures [Internet]. 2018 ;[citado 2024 jul. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-05022019-104746/
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Feitosa AE. Classification techniques for adaptive distributed networks and aeronautical structures [Internet]. 2018 ;[citado 2024 jul. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-05022019-104746/
Tese (Doutorado)
Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas (2017)
Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, TEMPERATURA, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
BORDALLO, Caio Cesar Mendes. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/. Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Bordallo, C. C. M. (2017). Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/
NLM
Bordallo CCM. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jul. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/
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Bordallo CCM. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jul. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/
Tese (Doutorado)
Deposição e caracterização de filmes de titanato de estrôncio e bário (Ba0,5Sr0,5(TiO3)) visando a sua utilização na fabricação de defasadores variáveis operando em 60 GHZ (2016)
Pelegrini, Marcus Vinícius ; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: FILMES FINOS, BÁRIO
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ABNT
PELEGRINI, Marcus Vinícius. Deposição e caracterização de filmes de titanato de estrôncio e bário (Ba0,5Sr0,5(TiO3)) visando a sua utilização na fabricação de defasadores variáveis operando em 60 GHZ. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082016-154730/. Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Pelegrini, M. V. (2016). Deposição e caracterização de filmes de titanato de estrôncio e bário (Ba0,5Sr0,5(TiO3)) visando a sua utilização na fabricação de defasadores variáveis operando em 60 GHZ (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082016-154730/
NLM
Pelegrini MV. Deposição e caracterização de filmes de titanato de estrôncio e bário (Ba0,5Sr0,5(TiO3)) visando a sua utilização na fabricação de defasadores variáveis operando em 60 GHZ [Internet]. 2016 ;[citado 2024 jul. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082016-154730/
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Pelegrini MV. Deposição e caracterização de filmes de titanato de estrôncio e bário (Ba0,5Sr0,5(TiO3)) visando a sua utilização na fabricação de defasadores variáveis operando em 60 GHZ [Internet]. 2016 ;[citado 2024 jul. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082016-154730/
Tese (Doutorado)
Testes e aplicação de um novo implantador iônico (2016)
Spirin, Roman; Salvadori, Maria Cecília Barbosa da Silveira (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: NANOCOMPOSITOS, PERCOLAÇÃO, CIRCUITOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SPIRIN, Roman. Testes e aplicação de um novo implantador iônico. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19122016-103030/. Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Spirin, R. (2016). Testes e aplicação de um novo implantador iônico (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19122016-103030/
NLM
Spirin R. Testes e aplicação de um novo implantador iônico [Internet]. 2016 ;[citado 2024 jul. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19122016-103030/
Vancouver
Spirin R. Testes e aplicação de um novo implantador iônico [Internet]. 2016 ;[citado 2024 jul. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19122016-103030/
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica (2016)
Sasaki, Kátia Regina Akemi; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SASAKI, Kátia Regina Akemi. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/. Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Sasaki, K. R. A. (2016). Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/
NLM
Sasaki KRA. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica [Internet]. 2016 ;[citado 2024 jul. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/
Vancouver
Sasaki KRA. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica [Internet]. 2016 ;[citado 2024 jul. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/

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