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Filtros : "ENGENHARIA DE SISTEMAS ELETRONICOS" "Santos, Carolina Davanzzo Gomes dos" Removido: "FBF" Limpar

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  • Tese (Doutorado)

    Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas (2010)

    Santos, Carolina Davanzzo Gomes dos; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, BAIXA TEMPERATURA, MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos. Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/. Acesso em: 10 jun. 2024.

    • APA

      Santos, C. D. G. dos. (2010). Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/

    • NLM

      Santos CDG dos. Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jun. 10 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/

    • Vancouver

      Santos CDG dos. Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jun. 10 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/

  • Dissertação (Mestrado)

    Caracterização elétrica de transistores SOI de porta circundante com estrutura de canal gradual em alta temperatura (2005)

    Santos, Carolina Davanzzo Gomes dos; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, ALTA TEMPERATURA, MICROELETRÔNICA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos. Caracterização elétrica de transistores SOI de porta circundante com estrutura de canal gradual em alta temperatura. 2005. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. . Acesso em: 10 jun. 2024.

    • APA

      Santos, C. D. G. dos. (2005). Caracterização elétrica de transistores SOI de porta circundante com estrutura de canal gradual em alta temperatura (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.

    • NLM

      Santos CDG dos. Caracterização elétrica de transistores SOI de porta circundante com estrutura de canal gradual em alta temperatura. 2005 ;[citado 2024 jun. 10 ]

    • Vancouver

      Santos CDG dos. Caracterização elétrica de transistores SOI de porta circundante com estrutura de canal gradual em alta temperatura. 2005 ;[citado 2024 jun. 10 ]
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