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Trabalho de evento-resumo
Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells (2011)
Morais, R R O; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Silva, M A T da; Lourenço, S A; Silva, E C F da; Quivy, A A; Cezar, D F
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
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ABNT
MORAIS, R R O et al. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Silva, M. A. T. da, Lourenço, S. A., et al. (2011). Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Silva MAT da, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA, Cezar DF. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Silva MAT da, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA, Cezar DF. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100) (2010)
Lourenço, Sidney Alves; Poças, Luiz Carlos; Lopes, Joyce Marquini; Laureto, Edson; Duarte, José Leonil; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Quivy, A. A.
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LOURENÇO, Sidney Alves et al. Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100). 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0686-1.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Poças, L. C., Lopes, J. M., Laureto, E., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., & Quivy, A. A. (2010). Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100). In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0686-1.pdf
NLM
Lourenço SA, Poças LC, Lopes JM, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100) [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0686-1.pdf
Vancouver
Lourenço SA, Poças LC, Lopes JM, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100) [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0686-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well (2001)
Cavalheiro, Ademir; Takahashi, Eduardo Kojy; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; MENESES, Eliermes Arraes
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTIVIDADE, CONDUÇÃO
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ABNT
CAVALHEIRO, Ademir et al. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Cavalheiro, A., Takahashi, E. K., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., Leite, J. R., & MENESES, E. A. (2001). The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Cavalheiro A, Takahashi EK, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR, MENESES EA. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. Resumos. 2001 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Cavalheiro A, Takahashi EK, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR, MENESES EA. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. Resumos. 2001 ;[citado 2024 nov. 01 ]

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