The MOS device applied to hydrogenated gas sensor device (2012)
- Authors:
- USP affiliated authors: FERNANDEZ, FRANCISCO JAVIER RAMÍREZ - EP ; SALCEDO, WALTER JAIMES - EP ; MAGALHÃES, FILIPE BENTO - EP ; BRAGA, MAURO SERGIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1149/04901.0465ecst
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Pennington
- Date published: 2012
- Source:
- Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
MAGALHÃES, Filipe Bento et al. The MOS device applied to hydrogenated gas sensor device. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0465ecst. Acesso em: 23 jan. 2026. -
APA
Magalhães, F. B., Braga, M. S., Ramírez Fernandez, F. J., & Salcedo, W. J. (2012). The MOS device applied to hydrogenated gas sensor device. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0465ecst -
NLM
Magalhães FB, Braga MS, Ramírez Fernandez FJ, Salcedo WJ. The MOS device applied to hydrogenated gas sensor device [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2026 jan. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0465ecst -
Vancouver
Magalhães FB, Braga MS, Ramírez Fernandez FJ, Salcedo WJ. The MOS device applied to hydrogenated gas sensor device [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2026 jan. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0465ecst - Characterization of porous silicon by photoluminescence, ellipsometric and micro-Raman spectroscopies
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Informações sobre o DOI: 10.1149/04901.0465ecst (Fonte: oaDOI API)
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