Investigation of InGaAs/InP photodiode surface passivation using epitaxial regrowth of InP via photoluminescence and photocurrent (2023)
- Authors:
- Autor USP: MAREGA JUNIOR, EUCLYDES - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1016/j.mssp.2022.107200
- Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA; PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
- Keywords: Minority charge lateral diffusion length; Charge collection; Recombination velocity; Surface passivation; Regrowth; Photoluminescence
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Materials Science in Semiconductor Processing
- ISSN: 1369-8001
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 154, p. 107200-1-107200-7, Feb. 2023
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
BRAGA, Osvaldo de Melo et al. Investigation of InGaAs/InP photodiode surface passivation using epitaxial regrowth of InP via photoluminescence and photocurrent. Materials Science in Semiconductor Processing, v. 154, p. 107200-1-107200-7, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.107200. Acesso em: 12 jan. 2026. -
APA
Braga, O. de M., Delfino, C. A., Kawabata, R. M. S., Pinto, L. D., Vieira, G. S., Pires, M. P., et al. (2023). Investigation of InGaAs/InP photodiode surface passivation using epitaxial regrowth of InP via photoluminescence and photocurrent. Materials Science in Semiconductor Processing, 154, 107200-1-107200-7. doi:10.1016/j.mssp.2022.107200 -
NLM
Braga O de M, Delfino CA, Kawabata RMS, Pinto LD, Vieira GS, Pires MP, Souza PL de, Marega Junior E, Carlin JA, Krishna S. Investigation of InGaAs/InP photodiode surface passivation using epitaxial regrowth of InP via photoluminescence and photocurrent [Internet]. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023 ; 154 107200-1-107200-7.[citado 2026 jan. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.107200 -
Vancouver
Braga O de M, Delfino CA, Kawabata RMS, Pinto LD, Vieira GS, Pires MP, Souza PL de, Marega Junior E, Carlin JA, Krishna S. Investigation of InGaAs/InP photodiode surface passivation using epitaxial regrowth of InP via photoluminescence and photocurrent [Internet]. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023 ; 154 107200-1-107200-7.[citado 2026 jan. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.107200 - Propriedades opticas de super-redes de ('GA''AS')- ('AL'as')
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.mssp.2022.107200 (Fonte: oaDOI API)
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