'AL' IND. 2''O' IND. 3' thin film multilayer structure for application in RRAM devices (2018)
- Authors:
- Autor USP: RODRIGUES, CLEBER LIMA - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/j.sse.2018.08.004
- Subjects: LASER; FÍSICA NUCLEAR; ÍONS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Solid-State Electronics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 149, p. 1-5, nov. 2018
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
RODRIGUES, A. N. et al. 'AL' IND. 2''O' IND. 3' thin film multilayer structure for application in RRAM devices. Solid-State Electronics, v. no 2018, p. 1-5, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2018.08.004. Acesso em: 28 dez. 2025. -
APA
Rodrigues, A. N., Santos, Y. P., Macedo, M. A., & Rodrigues, C. L. (2018). 'AL' IND. 2''O' IND. 3' thin film multilayer structure for application in RRAM devices. Solid-State Electronics, no 2018, 1-5. doi:10.1016/j.sse.2018.08.004 -
NLM
Rodrigues AN, Santos YP, Macedo MA, Rodrigues CL. 'AL' IND. 2''O' IND. 3' thin film multilayer structure for application in RRAM devices [Internet]. Solid-State Electronics. 2018 ; no 2018 1-5.[citado 2025 dez. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2018.08.004 -
Vancouver
Rodrigues AN, Santos YP, Macedo MA, Rodrigues CL. 'AL' IND. 2''O' IND. 3' thin film multilayer structure for application in RRAM devices [Internet]. Solid-State Electronics. 2018 ; no 2018 1-5.[citado 2025 dez. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2018.08.004 - Effect of unipolar resistive switching on Pt/Co0.2TiO3.2/ITO thin films
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.sse.2018.08.004 (Fonte: oaDOI API)
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| Tipo | Nome | Link | |
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1-s2.0-S0038110118301588-... |
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