Effect of ethanol concentrations on few layer Schottky graphene transistors (2013)
- Authors:
- USP affiliated authors: SEABRA, ANTONIO CARLOS - EP ; PERES, HENRIQUE ESTANISLAU MALDONADO - EP ; HUILA, MANUEL FERNANDO GONZALEZ - IQ
- Unidades: EP; IQ
- DOI: 10.1088/1742-6596/421/1/012005
- Subjects: TRANSISTORES; ETANOL
- Language: Inglês
- Source:
- Título do periódico: Journal of Physics: Conference Series
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 421, conference 1, p. 012005, 2013
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: gold
-
ABNT
GOMEZ ARMAS, Luis Enrique et al. Effect of ethanol concentrations on few layer Schottky graphene transistors. Journal of Physics: Conference Series, v. 421, p. 012005, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1742-6596/421/1/012005. Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Gomez Armas, L. E., Seabra, A. C., Gonzalez Huila, M. F., Pojar, M., & Peres, H. E. M. (2013). Effect of ethanol concentrations on few layer Schottky graphene transistors. Journal of Physics: Conference Series, 421, 012005. doi:10.1088/1742-6596/421/1/012005 -
NLM
Gomez Armas LE, Seabra AC, Gonzalez Huila MF, Pojar M, Peres HEM. Effect of ethanol concentrations on few layer Schottky graphene transistors [Internet]. Journal of Physics: Conference Series. 2013 ; 421 012005.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1742-6596/421/1/012005 -
Vancouver
Gomez Armas LE, Seabra AC, Gonzalez Huila MF, Pojar M, Peres HEM. Effect of ethanol concentrations on few layer Schottky graphene transistors [Internet]. Journal of Physics: Conference Series. 2013 ; 421 012005.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1742-6596/421/1/012005 - Xerogel de pentóxido de vanádio: novas abordagens na caracterização e aplicações
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Informações sobre o DOI: 10.1088/1742-6596/421/1/012005 (Fonte: oaDOI API)
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