Purificação e preparação do cristal semicondutor de iodeto de bismuto para aplicação como detector de radiação (2016)
- Authors:
- Autor USP: FERRAZ, CAUê DE MELLO - IPEN
- Unidade: IPEN
- Subjects: NÊUTRONS; CRISTALOGRAFIA FÍSICA; DETECÇÃO DE PARTÍCULAS; RADIOATIVIDADE ARTIFICIAL; BISMUTO; IODO
- Language: Português
- Abstract: O presente trabalho descreve o procedimento experimental do método de purificação do sal de Triiodeto de Bismuto (BiI3), visando uma futura aplicação destes em cristais semicondutores, como detector de radiação à temperatura ambiente. A técnica de Bridgman Vertical Repetido foi aplicada para a purificação e crescimento de BiI3, baseada na teoria da fusão e o fenômeno de nucleação do material. Uma ampola preenchida com sal de BiI3, na quantidade máxima de 25% do seu volume interno, foi posicionada no interior do forno de Bridgman Vertical e verticalmente deslocada à uma velocidade de 2 milímetros por hora dentro do forno programado obedecendo um perfil térmico e gradiente de temperatura, com uma temperatura máxima de 530°C, estabelecidos neste trabalho. A redução de impurezas no BiI3, para cada purificação, foi analisada por Análise por Ativação Neutrônica Instrumental (AANI), para a verificação da eficiência do técnica de purificação estabelecida neste trabalho, para impurezas de metais traço, presente na matéria prima do cristal Foi demonstrado que a técnica de Bridgman Repetido é eficiente para a redução da concentração de diversas impurezas, como Ag, As, Br, Cr, K, Mo, Na, e Sb. As estruturas cristalinas nos cristais purificados duas e três vezes apresentou similaridade com o padrão do BiI3. No entanto, para o sal de partida e cristal purificado somente uma vez foi observado a contribuição de intensidade BiOI (Oxido de Iodeto de Bismuto) similar ao padrão observada no seudifratograma. >> conhecido que detectores semicondutores fabricados a partir de cristais com alta pureza exibem uma melhora significativa no seu desempenho, comparado com os cristais produzidos com cristais de baixa pureza
- Imprenta:
- Data da defesa: 06.05.2016
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ABNT
FERRAZ, Cauê de Mello. Purificação e preparação do cristal semicondutor de iodeto de bismuto para aplicação como detector de radiação. 2016. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-14072016-131626/. Acesso em: 03 jan. 2026. -
APA
Ferraz, C. de M. (2016). Purificação e preparação do cristal semicondutor de iodeto de bismuto para aplicação como detector de radiação (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-14072016-131626/ -
NLM
Ferraz C de M. Purificação e preparação do cristal semicondutor de iodeto de bismuto para aplicação como detector de radiação [Internet]. 2016 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-14072016-131626/ -
Vancouver
Ferraz C de M. Purificação e preparação do cristal semicondutor de iodeto de bismuto para aplicação como detector de radiação [Internet]. 2016 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-14072016-131626/
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