Effective area effects on the final device sensitivity of ion sensor transducers (2015)
- Authors:
- Autor USP: MULATO, MARCELO - FFCLRP
- Unidade: FFCLRP
- DOI: 10.1007/s13538-015-0328-9
- Subjects: ELETRODEPOSIÇÃO; SENSOR (REDUÇÃO)
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Brazilian Journal of Physics
- ISSN: 0103-9733
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 45, n. 4, p. 387-393, 2015
- Este artigo possui versão em acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Versão do Documento: Versão submetida (Pré-print)
-
Status: Artigo possui versão em acesso aberto em repositório (Green Open Access) -
ABNT
FERNANDES, Jessica Colnaghi e MULATO, Marcelo. Effective area effects on the final device sensitivity of ion sensor transducers. Brazilian Journal of Physics, v. 45, n. 4, p. 387-393, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s13538-015-0328-9. Acesso em: 11 mar. 2026. -
APA
Fernandes, J. C., & Mulato, M. (2015). Effective area effects on the final device sensitivity of ion sensor transducers. Brazilian Journal of Physics, 45( 4), 387-393. doi:10.1007/s13538-015-0328-9 -
NLM
Fernandes JC, Mulato M. Effective area effects on the final device sensitivity of ion sensor transducers [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2015 ; 45( 4): 387-393.[citado 2026 mar. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s13538-015-0328-9 -
Vancouver
Fernandes JC, Mulato M. Effective area effects on the final device sensitivity of ion sensor transducers [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2015 ; 45( 4): 387-393.[citado 2026 mar. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s13538-015-0328-9 - Caracterização de cristais de 'Hgl IND.2' para detecção de raios X na faixa de mamografia
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