Investigação de parâmetros hiperfinos dos óxidos semicondutores SnO2 e TiO2 puros e dopados com metais de transição 3d pela espectroscopia de correlação angular gama-gama perturbada (2015)
- Authors:
- Autor USP: SCHELL, JULIANA - IPEN
- Unidade: IPEN
- Subjects: SEMICONDUTORES; FILMES FINOS; ESTANHO; ZIRCÔNIO; DEFEITO; MAGNETISMO; DIFRAÇÃO POR RAIOS X; MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA
- Language: Português
- Abstract: O presente trabalho teve como objetivo utilizar a técnica nuclear de Correlação Angular γ-γ Perturbada (CAP) para a medida de interações hiperfinas em filmes finos e amostras em pó de óxidos semicondutores SnO2 e TiO2 puros e dopados com metais de transição para uma investigação sistemática de defeitos estruturais e do magnetismo sob o ponto de vista atômico tendo como principal motivação a candidatura à aplicação desses óxidos em spintrônica. O trabalho também teve como foco a preparação e caracterização das amostras por meio de técnicas convencionais, como difração de raios X, microscopia eletrônica de varredura, espectroscopia de energia dispersiva e medidas de magnetização. Amostras puras dos filmes foram medidas mediante a variação sistemática da temperatura de tratamento térmico e do campo magnético aplicado. Tais medidas foram realizadas no HISKP, na Universidade de Bonn (Rheinische Friedrich-Wilhelms-Universität Bonn), através de implantação de íons de 111In(111Cd) ou 181Hf(181Ta); no IPEN, por sua vez, essas medidas foram realizadas após a difusão dos mesmos núcleos de prova. Outra parte das medidas CAP foram feitas através de implantação de íons de 111mCd(111Cd) e 117Cd(117In) no Isotope Mass Separator On-Line (ISOLDE) do Centre Européen Recherche Nucléaire (CERN). As medidas foram realizadas nos intervalos de temperatura de 8 K a 1173 K. Para análise de ferromagnetismo, medidas foram feitas à temperatura ambiente com e sem aplicação de campo magnéticoexterno. Após a comparação dos resultados das medidas macroscópicas e atômicas das amostras, foi possível concluir que há uma correlação entre os defeitos, o magnetismo e a mobilidade dos portadores de carga nos semicondutores aqui estudados. Um passo adiante na busca de semicondutores, cujo ordenamento magnético possibilite o seu uso na eletrônica baseada em spin. Alguns resultados já foram publicados, incluindo resultados obtidos na Universidade de Bonn durante o período de doutorado sanduíche [1-7]
- Imprenta:
- Data da defesa: 19.02.2015
-
ABNT
SCHELL, Juliana. Investigação de parâmetros hiperfinos dos óxidos semicondutores SnO2 e TiO2 puros e dopados com metais de transição 3d pela espectroscopia de correlação angular gama-gama perturbada. 2015. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2015. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-24032015-135507/. Acesso em: 26 jan. 2026. -
APA
Schell, J. (2015). Investigação de parâmetros hiperfinos dos óxidos semicondutores SnO2 e TiO2 puros e dopados com metais de transição 3d pela espectroscopia de correlação angular gama-gama perturbada (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-24032015-135507/ -
NLM
Schell J. Investigação de parâmetros hiperfinos dos óxidos semicondutores SnO2 e TiO2 puros e dopados com metais de transição 3d pela espectroscopia de correlação angular gama-gama perturbada [Internet]. 2015 ;[citado 2026 jan. 26 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-24032015-135507/ -
Vancouver
Schell J. Investigação de parâmetros hiperfinos dos óxidos semicondutores SnO2 e TiO2 puros e dopados com metais de transição 3d pela espectroscopia de correlação angular gama-gama perturbada [Internet]. 2015 ;[citado 2026 jan. 26 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-24032015-135507/
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
