Caracterização das propriedades dosimétricas de diodos de silício empregados em radioterapia com feixe de fótons (2013)
- Authors:
- Autor USP: BIZETTO, CéSAR AUGUSTO - IPEN
- Unidade: IPEN
- Subjects: RADIOTERAPIA; SILICONE; DOSIMETRIA; MEDIDAS DE PARTÍCULAS
- Language: Português
- Abstract: No presente trabalho foi estudada a resposta de diodos epitaxiais (EPI) e fusão zonal (FZ) como dosímetros on-line em tratamentos radioterápicos com feixe de fótons na faixa de megavoltagem (diodo tipo EPI)e ortovoltagem (diodos tipo EPI e FZ). Para serem usados como dosímetros os diodos foram encapsulados em sondas de polimetilmetacrilato preto (PMMA). Para as medidas da fotocorrente os dispositivos foram conectados a um eletrômetro Keithley® 6517B no modo fotovoltaico. As irradiações foram feitas com feixes de fótons de 6 e 18 MV (acelerador Siemens Primus®),6 e 15 MV (acelerador Novalis TX®) e 10, 25, 30 e 50 kV de um equipamento de Radiação X Pantak/Seifert. Nas medidas com o acelerador Siemens Primus® os diodos foram posicionados entre placas de PMMA a uma profundidade de 10,0 cm e com o acelerador Novalis TX® mantidos entre placas de água sólida a uma profundidade de 5cm. Em ambos os casos, os diodos foram centralizados em campos de radiação de 10 × 10 cm2, com distância fonte superfície (DFS) mantida fixa em 100 cm. Para as medidas com os feixes de fótons deortovoltagem os diodos foram posicionados a 50 cm do tubo em um campo de radiação circular de 8 cm de diâmetro. A linearidade com a taxa de dose foi avaliada para as energias de 6 e 15MV do acelerador Novalis TX® variando-se a taxa de dose de 100 a 600 unidades monitoras por minuto e para o feixe de 50 kV variando-se a corrente do tubo de 2 a 20 mA. Todos os dispositivos apresentaramrespostas lineares com a taxa de dose e dentro das incertezas, independência da carga com a mesma. Os sinais de corrente mostraram boa repetibilidade, caracterizada por coeficientes de variação em corrente (CV) inferiores a 1,14%(megavoltagem) e 0,15%(ortovoltagem) e em carga menores que 1,84% (megavoltagem) e 1,67% (ortovoltagem). Foram obtidas curvas dose-resposta lineares com coeficientes de correlação linear melhores que 0,9999 para todos os diodos
- Imprenta:
- Data da defesa: 22.05.2013
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ABNT
BIZETTO, César Augusto. Caracterização das propriedades dosimétricas de diodos de silício empregados em radioterapia com feixe de fótons. 2013. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-08082013-164400/. Acesso em: 14 fev. 2026. -
APA
Bizetto, C. A. (2013). Caracterização das propriedades dosimétricas de diodos de silício empregados em radioterapia com feixe de fótons (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-08082013-164400/ -
NLM
Bizetto CA. Caracterização das propriedades dosimétricas de diodos de silício empregados em radioterapia com feixe de fótons [Internet]. 2013 ;[citado 2026 fev. 14 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-08082013-164400/ -
Vancouver
Bizetto CA. Caracterização das propriedades dosimétricas de diodos de silício empregados em radioterapia com feixe de fótons [Internet]. 2013 ;[citado 2026 fev. 14 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-08082013-164400/
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