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Caracterização de dosímetros semicondutores e suas aplicações em técnicas especializadas em radioterapia (2012)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: OLIVEIRA, FERNANDA FERRETTI DE - FFCLRP
  • Unidades: FFCLRP
  • Sigla do Departamento: 591
  • Subjects: RADIOTERAPIA; DOSIMETRIA TERMOLUMINESCENTE; CONTROLE DA QUALIDADE
  • Keywords: Diodo Semicondutor; Dosimetria in vivo; Radioterapia; Control Quality; Radiation Therapy; Semiconductor Diode; Thermoluminescent Dosimeter and In Vivo Dosimetry
  • Language: Português
  • Abstract: Introdução: A Radioterapia é frequentemente utilizada no tratamento do câncer, seja como uma modalidade simples ou em combinação com Outras modalidades, tais como a cirurgia e a quimioterapia. Com o objetivo de eliminar células não desejadas no organismo humano, utiliza-se de radiações ionizantes para provocar a destruição de células tumorais pela absorção da energia da radiação incidente. A principal dificuldade encontrada em radioterapia é que as células tumorais não são tratadas isoladamente, isto é, o dano da radiação não é restrito somente às células tumorais, mas afeta também as células normais. Assim sendo, é essencial que a dose de radiação liberada nos tecidos normais seja tão baixa quanto possível para minimizar o risco de efeitos colaterais provocados pelos tratamentos radioterápicos. Objetivos: O objetivo deste trabalho é a caracterização de dosímetros semicondutores e dosímetros termoluminescentes e suas aplicações em técnicas não convencionais de Radioterapia. A partir da caracterização será possível a implementação dos dosímetros como sistema de dosimetria in vivo em teleterapia com feixe de fótons, visando atender as necessidades prementes do Serviço de Radioterapia do IICFMRP em implantar a técnica de irradiação de corpo inteiro e em realizar o controle de dose administrada ao paciente. Metodologia e Resultados: Diodos semicondutores foram caracterizados de acordo com o fator campo, angulação, taxa de dose, temperatura e fator bandeja, para obtenção dos fatores de correção. Verificou-se que a variação da resposta dos diodos com a temperatura, angulação e taxa de dose não foi significativa. Fatores campo foram calculados e registrados para campos de 3x3 ‘cm POT. 2’ a 40x40‘cm POT. 2’, onde se observou aumento na leitura do diodo com o aumento no campo. A resposta com a taxa de dose apresentou pouca variação (de 100cGy/min para 300cGy/mina variação foi menor que 1,2%). O fator bandeja encontrado foi de 0,95±0,01 demonstrando que a presença da bandeja provoca diminuição na resposta do detector. Após a caracterização, os diodos foram calibrados em arranjo experimental para TBI para determinação dos fatores de calibração para cada espessura simulada do paciente (DLL). A dosimetria in vivo foi realizada em 3 pacientes submetidos ao tratamento de TBI do HCFMRP. A diferença percentual máxima entre as medidas com diodo e o valor nominal de dose foi de 3,6%, o que está de acordo com o recomendado pelo ICRU (+/- 5%). Os resultados demonstram a viabilidade e confiabilidade da técnica de dosimetria com diodos semicondutores para Controle de Qualidade de dose em tratamento de TBI. Ainda, dosímetros termoluminescentes foram caracterizados quanto à homogeneidade do grupo e a linearidade. Os fatores de calibração individuais foram encontrados e os dosímetros foram aplicados em simulações em arranjo experimental para TBI. Os cálculos de dose das simulações realizadas com os termoluminescentes inseridos nos orifícios de um OSA demonstraram concordância com os valores nominais de dose. Para as regiões do tórax superior e inferior, onde os TLDs receberam doses mais elevadas (>150cGy), recomendou-se a utilização de compensadores de dose para a prática clínica. Uma câmara de ionização foi utilizada como dosímetro de referência em todas as etapas de calibração e caracterização dos diodos e termoluminescentes. Conclusões: Este estudo mostrou que, para tratamentos de irradiação de corpo inteiro, quando o paciente estiver sendo preparado para um transplante de medula óssea, e o planejamento necessitar de uma grande eficácia na distribuição de dose, a metodologia com aplicações de dosímetros semicondutores apresenta-se como uma alternativa viável, precisa e de grande importância para o controle dosimétrico. Assim, ficouevidenciada a importância da utilização do diodo para o Controle de Qualidade na avaliação da dose a ser ministrada ao paciente, pelo menos em toda primeira fração de tratamento de TBI. Além disso, ficou demonstrada a aplicabilidade dos dosímetros termoluminescentes para controle dosimétrico, demonstrando o valor da dosimetria termoluminescente como um sistema de verificação de dose e sua eficácia como parte de um programa de garantia de qualidade em Radioterapia. A caracterização dos termoluminescentes evidenciou a possibilidade de aplicação da técnica TL em dosimetria in vivo
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 21.12.2012
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    How to cite
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    • ABNT

      OLIVEIRA, Fernanda Ferretti de; GHILARDI NETTO, Thomaz. Caracterização de dosímetros semicondutores e suas aplicações em técnicas especializadas em radioterapia. 2012.Universidade de São Paulo, Ribeirão Preto, 2012. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59135/tde-19112013-103726/ >.
    • APA

      Oliveira, F. F. de, & Ghilardi Netto, T. (2012). Caracterização de dosímetros semicondutores e suas aplicações em técnicas especializadas em radioterapia. Universidade de São Paulo, Ribeirão Preto. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59135/tde-19112013-103726/
    • NLM

      Oliveira FF de, Ghilardi Netto T. Caracterização de dosímetros semicondutores e suas aplicações em técnicas especializadas em radioterapia [Internet]. 2012 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59135/tde-19112013-103726/
    • Vancouver

      Oliveira FF de, Ghilardi Netto T. Caracterização de dosímetros semicondutores e suas aplicações em técnicas especializadas em radioterapia [Internet]. 2012 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59135/tde-19112013-103726/

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