Concentration quenching of the green photoluminescence from terbium ions embedded in AlN and SiC matrices (2013)
- Authors:
- Autor USP: ZANATTA, ANTONIO RICARDO - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1016/j.jlumin.2012.12.028
- Subjects: TÉRBIO; ALUMÍNIO; NITRATOS; FOTOLUMINESCÊNCIA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Journal of Luminescence
- ISSN: 0022-2313
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 137, p. 73-76, May 2013
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
BENZ, Felix; GUERRA, J. Andrés; WENG, Ye; et al. Concentration quenching of the green photoluminescence from terbium ions embedded in AlN and SiC matrices. Journal of Luminescence, Amsterdam, v. 137, p. 73-76, 2013. Disponível em: < http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2012.12.028 > DOI: 10.1016/j.jlumin.2012.12.028. -
APA
Benz, F., Guerra, J. A., Weng, Y., Zanatta, A. R., Weingärtner, R., & Strunk, H. P. (2013). Concentration quenching of the green photoluminescence from terbium ions embedded in AlN and SiC matrices. Journal of Luminescence, 137, 73-76. doi:10.1016/j.jlumin.2012.12.028 -
NLM
Benz F, Guerra JA, Weng Y, Zanatta AR, Weingärtner R, Strunk HP. Concentration quenching of the green photoluminescence from terbium ions embedded in AlN and SiC matrices [Internet]. Journal of Luminescence. 2013 ; 137 73-76.Available from: http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2012.12.028 -
Vancouver
Benz F, Guerra JA, Weng Y, Zanatta AR, Weingärtner R, Strunk HP. Concentration quenching of the green photoluminescence from terbium ions embedded in AlN and SiC matrices [Internet]. Journal of Luminescence. 2013 ; 137 73-76.Available from: http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2012.12.028 - 1540 nm light emission from Er-doped amorphous GaAsN films
- Aluminium-induced crystallization of hydrogenated amorphous germanium thin films
- Magnetic properties of rare-earth doped a-Si films
- Amorphous hydrogenated carbon films deposited by PECVD: influence of the substrate temperature on film growth and microstruture
- Propriedades ópticas e estruturais de filmes de a-Si:H dopados com Er, Yb e Cr
- Annealing crystallization of a-Ge/Al/Si thin films
- Metal-induced crystallization of Ni-doped amorphous si films
- Annealing effects on crystallized Al-doped a-Ge: H thin films
- Técnicas de espectroscopia óptica 1: espalhamento Raman
- Cristalização e stress devidos à presença de níquel em filmes de silício amorfo
Informações sobre o DOI: 10.1016/j.jlumin.2012.12.028 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
