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Análise dos procedimentos de medida de dispositivos EGFET utilizando filmes de FTO (2010)

  • Authors:
  • Autor USP: NASCIMENTO, RAPHAEL APARECIDO SANCHES - FFCLRP
  • Unidade: FFCLRP
  • Sigla do Departamento: 592
  • Subjects: FILMES FINOS; SENSORES BIOMÉDICOS
  • Language: Português
  • Abstract: Ao longo dos anos a medicina vem se desenvolvendo rapidamente e junto com ela desenvolvem-se os métodos e processos de diagnósticos. Estes métodos ficam mais rápidos, precisos e cada vez menos invasivos graças ao desenvolvimento de dispositivos diagnósticos a cada dia menores e que produzam respostas confiáveis. Os biossensores são, sem dúvida, os grandes responsáveis pela miniaturização, barateamento e rapidez de diversos métodos diagnósticos e procedimentos clínicos utilizados diariamente. Dentre os diferentes tipos de biossensores existentes, destacamos os biossensores embasados em transístores de efeito de campo (FETs), mais precisamente os biossensores a base de transistor de efeito de campo de porta estendida (EGFET). Analisamos nesse trabalho os procedimentos de medida utilizando filmes finos de óxido de estanho dopados com flúor (FTO) como membrana sensível a tons ‘H POT. +’ acoplados à porta de um EGFET, que podem servir de base para a construção de um biossensor no futuro. Já existem artigos na literatura atual que fazem uso de FTO como membrana sensível a íons ‘H POT. +’ e ‘OH POT. –‘. Entretanto, nenhum dos artigos disponíveis faz um bom controle de alguns parâmetros, em alguns casos relativamente simples, ou se fazem não deixam claro de que maneira estão controlando esses parâmetros. Tais parâmetros são de fundamental importância na resposta final dos sensores uma vez que eles interferem significativamente no sinal dos mesmos. Mostramos no presente trabalho que parâmetros como a luz, a seqüência em que os pHs são medidos pela amostra, o procedimento de limpeza das amostras e até as características morfológicas das amostras são importantes no processo de adsorção e retirada de tons da superfície da membrana. Mostramos também que cada amostra necessita uma rotina diferente quanto à seqüência de medidas e até mesmo procedimentos de limpeza para que seu rendimento seja máximo, e comodiferentes amostras evoluem ao longo do tempo. Como solução aos problemas citados, descrevemos o uso carreto de duas amostras que apresentaram reprodutibilidade em seus dados e invariância entre os resultados coletados por diferentes seqüências de medidas. Por fim, deixamos uma proposta sobre a dinâmica que ocorre durante os processos de adsorção e retirada de tons ‘H POT. +’ e ‘OH POT. –’ na superfície dos filmes. Com base em nossa proposta fizemos cálculos teóricos estimados da quantidade de cargas que são absorvidas na superfície do filme para as diferentes situações encontradas durante os experimentas
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 26.11.2010
  • Acesso à fonte
    How to cite
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    • ABNT

      NASCIMENTO, Raphael Aparecido Sanches; MULATO, Marcelo. Análise dos procedimentos de medida de dispositivos EGFET utilizando filmes de FTO. 2010.Universidade de São Paulo, Ribeirão Preto, 2010. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59135/tde-12012011-154634/?&lang=pt-br >.
    • APA

      Nascimento, R. A. S., & Mulato, M. (2010). Análise dos procedimentos de medida de dispositivos EGFET utilizando filmes de FTO. Universidade de São Paulo, Ribeirão Preto. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59135/tde-12012011-154634/?&lang=pt-br
    • NLM

      Nascimento RAS, Mulato M. Análise dos procedimentos de medida de dispositivos EGFET utilizando filmes de FTO [Internet]. 2010 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59135/tde-12012011-154634/?&lang=pt-br
    • Vancouver

      Nascimento RAS, Mulato M. Análise dos procedimentos de medida de dispositivos EGFET utilizando filmes de FTO [Internet]. 2010 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59135/tde-12012011-154634/?&lang=pt-br

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