Análise dos métodos de modelagem das características C-V de transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs) (2001)
- Autor:
- Autor USP: ROMERO, MURILO ARAUJO - EESC
- Unidade: EESC
- Sigla do Departamento: SEL
- Subjects: TRANSISTORES (ANÁLISE;MODELAGEM); EQUAÇÃO DE SCHRODINGER; DISTRIBUIÇÃO DE POISSON
- Language: Português
- Abstract: Este texto realiza uma sistematização crítica de parte das atividades de pesquisa deste autor, tratando especificamente da análise dos métodos de modelagem das características Capacitância-Tensão (C-V) de Transistores de Alta Mobilidade Eletrônica (HEMTs). São apresentados resultados obtidos individualmente e/ou em colaboração com outros pesquisadores, bem como resultados advindos de pesquisas realizadas por estudantes de doutoramento sob sua orientação. Inicialmente é realizada uma avaliação crítica das atividades científicas do autor, com ênfase particular àquelas vinculadas ao estudo de Transistores HEMT, tópico no qual este autor vêm apresentando contribuições ao longo dos últimos dez anos. Em seguida, é descrito o princípio de funcionamento do dispositivo e um modelo analítico, aproximado e largamente utilizado na literatura, para as características Capacitância-Tensão (C-V) do transistor é apresentado. As limitações deste modelo são evidenciadas pela comparação com resultados experimentais e um formalismo mais rigoroso é então proposto, com base na solução numérica auto-consistente das equações de Schrodinger e Poisson, possibilitando a obtenção de resultados originais no que concerne à compreensão do comportamento C-V de dispositivos de canal pseudomórfico sob polarização direta. O texto encerra-se com a discussão das atividades de pesquisa deste autor atualmente em andamento na área relacionada à modelagem e aplicações de HEMTs e estruturas correlatas
- Imprenta:
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2001
- Data da defesa: 21.06.2001
-
ABNT
ROMERO, Murilo Araujo. Análise dos métodos de modelagem das características C-V de transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs). 2001. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2001. . Acesso em: 17 abr. 2026. -
APA
Romero, M. A. (2001). Análise dos métodos de modelagem das características C-V de transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs) (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, São Carlos. -
NLM
Romero MA. Análise dos métodos de modelagem das características C-V de transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs). 2001 ;[citado 2026 abr. 17 ] -
Vancouver
Romero MA. Análise dos métodos de modelagem das características C-V de transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs). 2001 ;[citado 2026 abr. 17 ] - Caracteristicas dinamicas de fotodetetores baseados em dopagem modulada (modfets)
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