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Dispositivos semicondutores a partir de óxidos de estanho e zinco (2009)

  • Authors:
  • Autor USP: BATISTA, PABLO DINIZ - FFCLRP
  • Unidade: FFCLRP
  • Sigla do Departamento: 591
  • Subjects: SENSORES BIOMÉDICOS; FÍSICA
  • Language: Português
  • Abstract: Este trabalho apresenta o desenvolvimento de dispositivos semicondutores utilizando óxidos de zinco e estanho. O primeiro dispositivo semicondutor estudado está relacionado ao desenvolvimento de sensores de pH a partir do efeito de campo, enquanto que o segundo consiste na utilização de ondas acústicas de superfície para o transporte de portadores voltados para o desenvolvimento de detectores de um único fóton. Primeiramente, esses materiais foram utilizados como membranas sensíveis a íons de hidrogênio. Para isso foram fabricados os dispositivos denominados EGFETs cujo princípio de funcionamento é semelhante ao ISFET. Foram desenvolvidos filmes de Sn'O IND.+' obtidos a partir da rota Pechini e pela técncia Sol-gel com o objetivo de investigar a resposta elétrica do EGFET .em função da concentração de íons de 'H POT.+'. Os sensores fabricados pela técnica sol-gel não apresentaram respostas satisfatórias devido à presença de poros. Por outro lado, obtivemos uma sensibilidade de 33m V /pH para o EGFET desenvolvido a partir da rota Pechini com uma membrana calcinada à 400°C. Propusemos também a utilização do ZnO como um possível candidato a sensor de pH a partir do EGFET. A melhor resposta do EGFET (uma sensibilidade de 38m V /pH) foi alcançada com a utilização de filmes de ZnO aquecidos à temperatura de 150°C. Além dos dispositivos para a detecção de íons de H+ apresentamos uma nova abordagem para a detecção de um único fóton a partir da combinação de dispositivosutilizando ondas acústicas de superfície e os transistores de um único elétron. Basicamente os protótipos consistem em uma estrutura de várias camadas otimizadas para uma eficiente absorção de fótons, uma junção p-i-n utilizada para coleta de portadores, IDT para geração da SAW e guias metálicos para controle de portadores durante o transporte acústico. Os portadores são eficientemente transportados por uma distância de 1 00 µm com uma perda de 12 % para a melhor configuração. Nessas condições, a eficiência do dispositivo é de 75%
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 13.02.2009
  • Acesso à fonte
    How to cite
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    • ABNT

      BATISTA, Pablo Diniz; MULATO, Marcelo. Dispositivos semicondutores a partir de óxidos de estanho e zinco. 2009.Universidade de São Paulo, Ribeirão Preto, 2009. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59135/tde-03052010-144214/?&lang=pt-br >.
    • APA

      Batista, P. D., & Mulato, M. (2009). Dispositivos semicondutores a partir de óxidos de estanho e zinco. Universidade de São Paulo, Ribeirão Preto. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59135/tde-03052010-144214/?&lang=pt-br
    • NLM

      Batista PD, Mulato M. Dispositivos semicondutores a partir de óxidos de estanho e zinco [Internet]. 2009 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59135/tde-03052010-144214/?&lang=pt-br
    • Vancouver

      Batista PD, Mulato M. Dispositivos semicondutores a partir de óxidos de estanho e zinco [Internet]. 2009 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59135/tde-03052010-144214/?&lang=pt-br

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