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Propriedades eletrônicas de heteroestruturas magnéticas semicondutoras diluídas (2007)

  • Authors:
  • Autor USP: MARIN, IVAN SILVESTRE PAGANINI - IFSC
  • Unidade: IFSC
  • Sigla do Departamento: FFI
  • Subjects: SEMICONDUTORES; NANOTECNOLOGIA; FOTOLUMINESCÊNCIA
  • Language: Português
  • Abstract: Neste trabalho é apresentado um estudo, via teoria de massa efetiva multibanda autoconsistente de heteroestruturas de semicondutores magnéticos diluídos, generalizada para incluir parâmetros de diferentes materiais. A interação magnética é descrita por um modelo de campo médio baseado no mecanismo de troca indireta, com a possibilidade de inclusão de diferentes íons magnéticos. As equações de massa efetiva são resolvidas de forma autoconsistente, com o auxílio da equação de Poisson. As interações de spin-órbita e de troca-correlação, na aproximação de densidade local, são incluídas no cálculo. O método é aplicado para o estudo das estruturas de bandas e densidades de carga com separação por spin do portador de heteroestruturas com dopagem tipo-n e tipo-p, variando a geometria dos poços magnéticos e também o período da super-rede, as densidades de portadores e as concentrações de íons magnéticos. Soluções autoconsistentes da equação de massa efetiva são encontradas para o óxido semicondutor (Zn,Co)O. Será mostrada a separação de portadores por spin em função dos parâmetros variados, simulando diversas concentrações possíveis, utilizadas em sistemas descritos na literatura, e será analisado o comportamento dos perfis de potencial. Usando os dados obtidos, um diagrama de fases será traçado com base na polarização total ou parcial dos portadores, e o seu comportamento será discutido. Também serão mostradas as estruturas de bandas, os perfis de potencial e asdistribuições de carga do semicondutor (GaMn)As, variando as densidades de portadores e a direção do campo magnético intrínseco, gerado pela dopagem com íons magnéticos. Os resultados obtidos neste trabalho podem servir de guia para futuras experiências e para o desenvolvimento de dispositivos com semicondutores magnéticos diluídos baseados em (Zn,Co)O e (Ga,Mn)As. Os métodos aqui descritos são gerais e podem ser utilizados para outros materiais.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 28.02.2007
  • Acesso à fonte
    How to cite
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    • ABNT

      MARIN, Ivan Silvestre Paganini; SIPAHI, Guilherme Matos. Propriedades eletrônicas de heteroestruturas magnéticas semicondutoras diluídas. 2007.Universidade de São Paulo, São Carlos, 2007. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-21082008-111614/ >.
    • APA

      Marin, I. S. P., & Sipahi, G. M. (2007). Propriedades eletrônicas de heteroestruturas magnéticas semicondutoras diluídas. Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-21082008-111614/
    • NLM

      Marin ISP, Sipahi GM. Propriedades eletrônicas de heteroestruturas magnéticas semicondutoras diluídas [Internet]. 2007 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-21082008-111614/
    • Vancouver

      Marin ISP, Sipahi GM. Propriedades eletrônicas de heteroestruturas magnéticas semicondutoras diluídas [Internet]. 2007 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-21082008-111614/


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