Estudo de propriedades de magnetotransporte eletrônico em super-redes semicondutoreas GaAs/AIGaAs (2007)
- Authors:
- Autor USP: RIBEIRO, MÁRCIO BOER - IFSC
- Unidade: IFSC
- Sigla do Departamento: FCM
- Subjects: SEMICONDUTORES; MAGNETISMO
- Language: Português
- Abstract: Exploramos a magneteristência em super-redes periódicas de GaAs/AlGaAs com diferentes forças de desordem, produzida pela variação do potencial ou introduzida por rugosidades interfaciais. Nessas super-redes, dependendo da desordem, identificamos diferentes regimes de transporte quântico: os regimes de localização fraca, propagativo e difusivo, e o regime de localização forte , isolantes. Nossos resultados sugerem diferentes mecanismos de defasagem da função de onda eletrônica nos limites da localização fraca e forte. A transição metal-isolante manifesta-se em correspondente modificação da interferência quântica, mostrando uma modificação na magnetoresistência quando passamos de sistemas metálicos para isolantes. Estudos ainda a energia de acoplamento vertical nas super-redes, modificada pela variação da espessura do poco quântico, e isso revelou um significativo decréscimo do acoplamento com o aumento da desordem. Estudamos a coerência de elétrons em super-redes desordenadas GaAs/'Al IND.0,3''Ga IND.0,7'As em função do acoplamento vertical entre camadas. Dependendo da relação da energia de desordem com a energia de Fermi, identificamos um regime de transporte difuso coerente ou incoerente. Através das medidas de magnotoresistência nos dois regimes, conseguimos obter a energia de acoplamento vertical, o comprimento de coerência vertical e o tempo de defasagem do elétron no plano das camadas. A comparaçào entre esses valores, nos permitiu investigar ainfluência da desordem na coerência das quasiparticulas. Por fim, investigamostamb[em em super-redes intencionalmente desordenadas GaAs/'Al IND.x''Ga'As IND.1-x', a influ6encia da desordem ansiotrópica na interferência quântica. No caso de uma desordem suficientemente forte, encontramos uma ansiotropia do tempo de defasagem eletrônica, que se mostrou menos na direção da desordem. ) Os efeitos de ansiotropia foram mais fortes no regime de transporte isolante que no regime metálico. Verificamos também a relação de escala para o campo magnético mas correções de magnetoresistência
- Imprenta:
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2007
- Data da defesa: 06.06.2007
-
ABNT
RIBEIRO, Márcio Bôer. Estudo de propriedades de magnetotransporte eletrônico em super-redes semicondutoreas GaAs/AIGaAs. 2007. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-05092007-214247/. Acesso em: 01 out. 2024. -
APA
Ribeiro, M. B. (2007). Estudo de propriedades de magnetotransporte eletrônico em super-redes semicondutoreas GaAs/AIGaAs (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-05092007-214247/ -
NLM
Ribeiro MB. Estudo de propriedades de magnetotransporte eletrônico em super-redes semicondutoreas GaAs/AIGaAs [Internet]. 2007 ;[citado 2024 out. 01 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-05092007-214247/ -
Vancouver
Ribeiro MB. Estudo de propriedades de magnetotransporte eletrônico em super-redes semicondutoreas GaAs/AIGaAs [Internet]. 2007 ;[citado 2024 out. 01 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-05092007-214247/
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
