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Avaliação do efeito da irradiação com laser de diodo de GaAlAs na estabilidade de implantes de titânio por meio da análise de freqüência de ressonância (2007)

  • Authors:
  • Autor USP: MORALES, JOELLE MARIE GARCÍA - FO
  • Unidade: FO
  • Sigla do Departamento: ODP
  • Subjects: IMPLANTES DENTÁRIOS; TITÂNIO (ODONTOLOGIA); LASER (ODONTOLOGIA)
  • Language: Português
  • Abstract: O presente estudo teve por objetivo avaliar por meio da análise de freqüência de ressonância (AFR) o efeito da irradiação com laser de GaAlAs na estabilidade de implantes de titânio, como cociente de estabilidade do implante (ISQ) instalados em pacientes parcialmente edentados na região posterior da mandíbula; assim como avaliar a evolução da estabilidade dos implantes, durante o período de osseointegração. Foram selecionados 8 pacientes adultos, com boa saúde para a instalação cirúrgica de 30 implantes Xive S® (Dentsply). Portanto, foram instalados de 2 a 5 implantes por paciente, distribuídos bilateralmente. Cada paciente atuou como seu próprio controle. Os implantes do lado controle não foram irradiados, e os do lado experimental foram submetidos a terapia com laser de diodo GaAlAs com ?= 830 nm, densidade de energia de 8 j/cm2, potência de 100 mW, modo contínuo, de forma pontual em 20 pontos, durante 3 segundos por ponto. A primeira sessô de irradiação foi no pós-operatório imediato, sendo repetida a cada 48 horas nos primeiros 14 dias, totalizando 7 irradiações. Após a instalação dos implantes foi medida a estabilidade primária destes com o aparelho Osstell?. Novas medidas de ISQ foram realizadas após 10 dias, e 3, 6, 9 e 12 semanas. No momento da instalação, os valores de ISQ na regiô posterior da mandíbula oscilaram de 65-84 com média de 76, sofrendo queda significativa da estabilidade do 100 dia para a 6a semana no grupo irradiado e apresentando um aumentogradual a partir da 6a semana até a 12a semana. Os valores mais altos de ISQ foram observados no 100 dia no grupo irradiado, embora sem significância estatística, e os mais baixos foram observados na 6a semana em ambos os grupos. Não foi evidenciado o efeito do laser de GaAlAs na estabilidade dos implantes com o aparelho OsstellTM, porém nô se pode afirmar que os padrões de reparação óssea e a taxa de ) osseointegração entre os implantes irradiados e não irradiados tenham sido similares
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 07.02.2007
  • Acesso à fonte
    How to cite
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    • ABNT

      GARCIA MORALES, Joelle Marie; TORTAMANO NETO, Pedro. Avaliação do efeito da irradiação com laser de diodo de GaAlAs na estabilidade de implantes de titânio por meio da análise de freqüência de ressonância. 2007.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/23/23137/tde-12032007-122544/ >.
    • APA

      Garcia Morales, J. M., & Tortamano Neto, P. (2007). Avaliação do efeito da irradiação com laser de diodo de GaAlAs na estabilidade de implantes de titânio por meio da análise de freqüência de ressonância. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/23/23137/tde-12032007-122544/
    • NLM

      Garcia Morales JM, Tortamano Neto P. Avaliação do efeito da irradiação com laser de diodo de GaAlAs na estabilidade de implantes de titânio por meio da análise de freqüência de ressonância [Internet]. 2007 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/23/23137/tde-12032007-122544/
    • Vancouver

      Garcia Morales JM, Tortamano Neto P. Avaliação do efeito da irradiação com laser de diodo de GaAlAs na estabilidade de implantes de titânio por meio da análise de freqüência de ressonância [Internet]. 2007 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/23/23137/tde-12032007-122544/


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