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Cristalização induzida por níquel em filmes de silício amorfo (2007)

  • Authors:
  • Autor USP: FERRI, FABIO APARECIDO - IFSC
  • Unidade: IFSC
  • Sigla do Departamento: FFI
  • Subjects: FILMES FINOS; SILÍCIO
  • Language: Português
  • Abstract: Devido às suas potenciais aplicações tecnológicas (células solares, transistores de filme fino -TFT, etc.), o estudo do silício amorfo ('alfa'-Si) tem despertado o interesse da comunidade científica desde o final da década de 70. Mais recentemente, este interesse foi renovado com o desenvolvimento da técnica de cristalização induzida por metal (Metal-induced Crystallization - MIC), por causa do considerável interesse na obtenção do silício cristalino (c-Si) a baixas temperaturas. Dentre as principais abordagens adotadas para o estudo daMIC, destaca-se aquela realizada em estruturas consistindo de camadas alternadas de silício amorfo e filmes metálicos, por exemplo. Conseqüentemente, concluiu-se que a difusão de átomos do semicondutor para o metal (e/ou vice-versa) é o mecanismo responsável pela cristalização. Esta explicação fenomenológica, entretanto, não considera os mecanismos microscópicos que provocam a cristalização à baixa temperatura. Tendo isto por base, este trabalho diz respeito a uma abordagem diferente e complementar para a investigação do processo de MIC, através da inserção de uma quantidade controlada e homogeneamente distribuída de átomos de metal na rede amorfa. Para este estudo, filmes de silício amorfo dopados com diferentes concentrações de Ni e possuindo diferentes espessuras, depositados em substratos de c-Si, c-Ge, quartzo cristalino e vidro foram preparados pela técnica de sputtering de rádio freqüência, em uma atmosferacontrolada de argônio. Com o objetivo de se investigar a influência exercida pela estrutura atômica nos mecanismos de cristalização destes filmes, todos foram submetidos a tratamentos térmicos cumulativos até '1000 GRAUS'C. Para isto, os filmes foram caracterizados pelas técnicas de espalhamento Raman, transmissão óptica, EDS (energy dispersive spectrometry) e microscopia eletrônica de varredura (SEM). ). Os resultados experimentais indicam que a quantidade de Ni, a espessura e a natureza do substrato determinam a temperatura para o qual se inicia a cristalização dos filmes de 'alfa'-Si, e que a espessura e a presença de Ni têm efeito direto sobre as propriedades ópticas dos filmes. Estudos preliminares utilizando-se as técnicas de microscopia de força atômica (AFM) e Extended X-ray Absorption Fine Structure (EXAFS) também foram feitos
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 12.02.2007
  • Acesso à fonte
    How to cite
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    • ABNT

      FERRI, Fábio Aparecido; ZANATTA, Antonio Ricardo. Cristalização induzida por níquel em filmes de silício amorfo. 2007.Universidade de São Paulo, São Carlos, 2007. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-11042007-132511/ >.
    • APA

      Ferri, F. A., & Zanatta, A. R. (2007). Cristalização induzida por níquel em filmes de silício amorfo. Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-11042007-132511/
    • NLM

      Ferri FA, Zanatta AR. Cristalização induzida por níquel em filmes de silício amorfo [Internet]. 2007 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-11042007-132511/
    • Vancouver

      Ferri FA, Zanatta AR. Cristalização induzida por níquel em filmes de silício amorfo [Internet]. 2007 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-11042007-132511/

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