Exportar registro bibliográfico

Efeitos da interação elétron-elétron na estrutura eletrônica e nas propriedades de transporte em pontos quânticos e anéis quânticos semicondutores (2006)

  • Authors:
  • Autor USP: CASTELANO, LEONARDO KLEBER - IFSC
  • Unidade: IFSC
  • Sigla do Departamento: FCM
  • Subjects: POÇOS QUÂNTICOS; SEMICONDUTORES
  • Language: Português
  • Abstract: Esta tese é composta por duas partes. Na primeira parte, os efeitos da interação elétron-elétron nas configurações do estado fundamental de dois anéis quânticos acoplados (CQRs) são estudados. Os CQRs podem formar um novo tipo de molécula artificial, onde o raio dos anéis 'gama IND.0' juntamente com a distância d, são novos parâmetros ajustáveis que fornecem novos graus de liberdade para controlar a estrutura eletrônica destas moléculas. Através da bem estabelecida teoria do funcional densidade dependente de spin, as configurações ou fases do estado fundamental dos CQRs com alguns elétrons são determinadas. Uma rica variedade de fases para o estado fundamental destas novas moléculas artificiais é encontrada para sistemas contendo até N=13 elétrons. Para CQRs com N'<OU='8 são obtidas qualitativamente configurações para o estado fundamental similares às dos pontos quânticos acoplados (CQDs). As novas configurações eletrônicas aparecem para N'>OU='9. Na segunda parte desta tese é desenvolvido um método numérico para estudar o espalhamento eletrônico através de um ponto quântico com N-elétrons confinados. Considera-se que o ponto quântico está imerso num sistema bidimensional ou confinado em um canal unidimensional. As taxas de espalhamento são obtidas resolvendo iterativamente a equação de Lippmann-Schwinger incluindo a interação elétron-elétron entre o elétron incidente e os N-elétrons confinados dentro do QD. Para exemplificar, este método é aplicado para um elétronexternamente injetado sobre um QD contendo um único elétron. As taxas de espalhamento elástico, inelástico e de spin-flip são obtidas. Os efeitos da interação de troca no espalhamento eletrônico e transporte através do QD são analisados. Também são considerados os processos do espalhamento multi-canal neste sistema e suas influências nas propriedades de transporte
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 19.12.2006
  • Acesso à fonte
    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CASTELANO, Leonardo Kleber; HAI, Guo-Qiang. Efeitos da interação elétron-elétron na estrutura eletrônica e nas propriedades de transporte em pontos quânticos e anéis quânticos semicondutores. 2006.Universidade de São Paulo, São Carlos, 2006. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-02022007-134443/ >.
    • APA

      Castelano, L. K., & Hai, G. -Q. (2006). Efeitos da interação elétron-elétron na estrutura eletrônica e nas propriedades de transporte em pontos quânticos e anéis quânticos semicondutores. Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-02022007-134443/
    • NLM

      Castelano LK, Hai G-Q. Efeitos da interação elétron-elétron na estrutura eletrônica e nas propriedades de transporte em pontos quânticos e anéis quânticos semicondutores [Internet]. 2006 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-02022007-134443/
    • Vancouver

      Castelano LK, Hai G-Q. Efeitos da interação elétron-elétron na estrutura eletrônica e nas propriedades de transporte em pontos quânticos e anéis quânticos semicondutores [Internet]. 2006 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-02022007-134443/

    Últimas obras dos mesmos autores vinculados com a USP cadastradas na BDPI:

Digital Library of Intellectual Production of Universidade de São Paulo     2012 - 2021