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Observação direta de defeitos causados por corte com serra de diamante em diodos semicondutores de potência utilizando EBIC (2005)

  • Authors:
  • Autor USP: OLIVEIRA, LUCIANO MIGUEL DE - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PSI
  • Subjects: SEMICONDUTORES (DEFEITO); DIODOS
  • Language: Português
  • Abstract: O objetivo deste trabalho é estabelecer, se a técnica EBIC (Corrente Induzida por Feixe de Elétrons), pode ser uma ferramenta de ajuda, para a análise dos defeitos gerados pelos processos de corte com serra de diamante, usados na fabricação de diodos semicondutores de potência. Neste trabalho, foram visualizados defeitos em diodos semicondutores de potência, causados pelo processo mecânico de corte com serra de diamante. Estes defeitos foram visualizados através da técnica EBIC (Corrente Induzida por Feixe de Elétrons) em conjunto com as imagens obtidas por SEM (Microscopia Eletrônica de Varredura). A técnica EBIC apresenta algumas vantagens em relação a outras técnicas de visualização de defeitos. As imagens por EBIC foram obtidas para duas espessuras de serra com diamante (40µm, 400µm) e com 5 velocidades de avanço linear da serra (5, 10, 20, 40 e 80mm/s). Para a obtenção das imagens por EBIC, ajustou-se a energia do feixe em 5keV, de modo que permitiu a obtenção dos melhores resultados. A sobreposição das imagens obtidas por SEM e EBIC, foi necessária para a observação da profundidade de propagação dos defeitos. A amostra que apresentou a profundidade de propagação de defeitos maior, foi a amostra J (Avanço Linear: 80mm/s; Espessura da serra: 400µm). Outras amostras não apresentaram bons resultados, devido a defeitos e a artefatos presentes na região de análise. A técnica EBIC pode ser utilizada para análise dos defeitos gerados pelo processo de corte, podendoser utilizada na melhoria do processo
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 10.11.2005

  • How to cite
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    • ABNT

      OLIVEIRA, Luciano Miguel de; SEABRA, Antonio Carlos. Observação direta de defeitos causados por corte com serra de diamante em diodos semicondutores de potência utilizando EBIC. 2005.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005.
    • APA

      Oliveira, L. M. de, & Seabra, A. C. (2005). Observação direta de defeitos causados por corte com serra de diamante em diodos semicondutores de potência utilizando EBIC. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Oliveira LM de, Seabra AC. Observação direta de defeitos causados por corte com serra de diamante em diodos semicondutores de potência utilizando EBIC. 2005 ;
    • Vancouver

      Oliveira LM de, Seabra AC. Observação direta de defeitos causados por corte com serra de diamante em diodos semicondutores de potência utilizando EBIC. 2005 ;

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