The low-lying eletronic states of PCI (2004)
- Authors:
- Autor USP: ORNELLAS, FERNANDO REI - IQ
- Unidade: IQ
- DOI: 10.1016/j.cplett.2004.07.084
- Assunto: FÍSICO-QUÍMICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Chemical Physics Letters
- ISSN: 0009-2614
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 395, n. 4-6, p. 239-245, 2004
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
SILVA-NETO, Artur Gomes da et al. The low-lying eletronic states of PCI. Chemical Physics Letters, v. 395, n. 4-6, p. 239-245, 2004Tradução . . Acesso em: 27 mar. 2023. -
APA
Silva-Neto, A. G. da, Roberto-Neto, O., Ornellas, F. R., & Machado, F. B. C. (2004). The low-lying eletronic states of PCI. Chemical Physics Letters, 395( 4-6), 239-245. doi:10.1016/j.cplett.2004.07.084 -
NLM
Silva-Neto AG da, Roberto-Neto O, Ornellas FR, Machado FBC. The low-lying eletronic states of PCI. Chemical Physics Letters. 2004 ; 395( 4-6): 239-245.[citado 2023 mar. 27 ] -
Vancouver
Silva-Neto AG da, Roberto-Neto O, Ornellas FR, Machado FBC. The low-lying eletronic states of PCI. Chemical Physics Letters. 2004 ; 395( 4-6): 239-245.[citado 2023 mar. 27 ] - Density functional study of nitrogen adsorption onto Si(100) surface
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.cplett.2004.07.084 (Fonte: oaDOI API)
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