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Resistividade elétrica de filmes finos nanoestruturados de platina e ouro (2004)

  • Authors:
  • Autor USP: FARIAS, REGINALDO DE JESUS COSTA - IF
  • Unidade: IF
  • Sigla do Departamento: FAP
  • Subjects: FILMES FINOS; NANOTECNOLOGIA; MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
  • Language: Português
  • Abstract: Depositamos filmes finos de platina e ouro utilizando a técnica de MePIIID. A espessura d desse filmes encontra-se no intervalo 1,31nm '< OU =' d '< OU =' 11,66nm e 1,77nm '< OU =' d '< OU ='10,46nm para a platina e para o ouro, respectivamente. Medimos, em função da espessura d, a resitividade elétrica p(d) in situ à temperatura ambiente, a rugosidade 'delta'(d) e as distâncias de correlação lateral 'dzeta'(d) foram realizados utilizando-se a técnica de microscopia de tunelamento. Nosso resultados experimentais foram comparados com as previsões teóricas obtidas por Fishman e Calecki. Verificamos que essa abordagem não explica satisfatoriamente nossos resultados experimentais. Nosso trabalho mostra que é necessário propor um novo modelo quântico para estimar a resistividade elétrica de filmes finos de platina e ouro
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 11.08.2004

  • How to cite
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    • ABNT

      FARIAS, Reginaldo de Jesus Costa; CATTANI, Mauro Sergio Dorsa. Resistividade elétrica de filmes finos nanoestruturados de platina e ouro. 2004.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004.
    • APA

      Farias, R. de J. C., & Cattani, M. S. D. (2004). Resistividade elétrica de filmes finos nanoestruturados de platina e ouro. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Farias R de JC, Cattani MSD. Resistividade elétrica de filmes finos nanoestruturados de platina e ouro. 2004 ;
    • Vancouver

      Farias R de JC, Cattani MSD. Resistividade elétrica de filmes finos nanoestruturados de platina e ouro. 2004 ;

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